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Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

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Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI
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Grande immagine :  Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: ISSI
Certificazione: ROHS
Numero di modello: IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Documento: C1350157_PSRAM(_IS66WVE4M16...33.PDF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: CONSULT WITH
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8day
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 10000
Contatto Ora chiacchieri

Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

descrizione
produttore:: ISSI Categoria di prodotto:: SRAM
Dimensione della memoria:: 64 Mbit Organizzazione:: 4 M x 16
Pacchetto/caso:: TFBGA-48 Serie:: IS66WVE4M16EBLL
Tipo:: Asincrono Sensibile all'umidità:: Sì
Evidenziare:

Chip PSRAM da 64 Mb

,

Chip PSRAM CMOS 4M x 16

,

IS66WVE4M16EBLL

PSRAM 64 Mb High-speed CMOS Pseudo-static Random Access Memory IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Specificativi del prodotto
Produttore ISSI
Categoria di prodotto SRAM
Dimensione della memoria 64 Mbit
Organizzazione 4 M x 16
Pacchetto/caso TFBGA-48
Serie IS66WVE4M16EBLL
Tipo Asincrono
Sensibile all'umidità - Sì, sì.
Temperatura di funzionamento -40°C a +85°C
Tensione di alimentazione 2.7V a 3.6V
Descrizione del prodotto

Il dispositivo di memoria integrata IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL contiene una memoria pseudo statica a accesso casuale da 64 Mbit utilizzando una matrice DRAM auto-aggiornamentale organizzata in 4M parole per 16 bit.Il dispositivo include diverse modalità di risparmio energetico, tra cui la modalità di aggiornamento parziale dell'array e la modalità di spegnimento della potenza profonda per ridurre il consumo di corrente in standby.

Caratteristiche chiave
  • Interfaccia in modalità asincrona e pagina
  • Ferrovie a doppia tensione per prestazioni opzionali
  • Accesso in modalità lettura pagina con lettura intrapage di 25ns
  • Basso consumo energetico: < 30 mA di funzionamento, < 200 μA di standby
  • Modalità di disattivazione: < 10μA (tipo)
  • Aggiornamento a temperatura controllata e aggiornamento parziale dell'array
  • Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C
  • Pacchetto TFBGA da 48 palline
Immagini del prodotto
Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 0 Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 1 Chip PSRAM ad alta velocità da 64 Mb CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 2
Imballaggio e spedizione

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Domande frequenti
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Qual e' il vostro tempo di consegna?

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Prezzo di fabbrica con deposito del 30% e pagamento del 70% T/T prima della spedizione.

Qual è il mezzo di trasporto?

Disponibile via mare, via aerea o via espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Prodotto Tag:

memoria psram,

psram ic,

chip elettronici

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: 18824255380

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