64Mb ความเร็วสูง PSRAM ชิป CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

อุปกรณ์ความจําบูรณาการ IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL มีความจํา Pseudo Static Random Access ขนาด 64Mbit โดยใช้ DRAM ที่สามารถอัพเดทตัวเองได้อุปกรณ์รวมหลายโหมดประหยัดพลังงานรวมถึงโหมดการอัพเดทอาร์เรย์บางส่วนและโหมดการลดพลังงานลึกเพื่อลดการระบายไฟฟ้าระยะรอ.

• อินเตอร์เฟซแบบไม่สมองและแบบหน้า
• รถไฟฟ้าระดับความดันสองแบบสําหรับการทํางานแบบเลือก
• การเข้าถึงการอ่านแบบหน้าด้วยการอ่านภายในหน้า 25ns
• การบริโภคพลังงานต่ํา: < 30mA การทํางาน, < 200μA ระยะรอ
• โหมดการปิดพลังงานลึก: <10μA (ประเภท)
• การปรับปรุงที่ควบคุมอุณหภูมิ และปรับปรุงส่วนของ array
• ระยะอุตสาหกรรมอุณหภูมิ: -40 °C ถึง + 85 °C
• แพ็คเกจ TFBGA 48 ลูก

มีการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ตามความต้องการ