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Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb

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Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb

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Imagem Grande :  Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: ISSI
Certificação: ROHS
Número do modelo: IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Documento: C1350157_PSRAM(_IS66WVE4M16...33.PDF
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: CONSULT WITH
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8day
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 10000
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Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb

descrição
fabricante:: ISSI Categoria de produto:: SRAM
Tamanho da memória:: 64 Mbit Organização:: 4 M x 16
Pacote/caso:: TFBGA-48 Série:: IS66WVE4M16EBLL
Tipo:: Asíncrono Sensível à umidade:: - Sim, sim.
Destacar:

Chip PSRAM de 64 MB

,

Chip PSRAM CMOS 4M x 16

,

IS66WVE4M16EBLL

PSRAM 64MB CMOS de alta velocidade Pseudo-estático Acesso Random Memory Is66wve4m16ebll-70bli
Especificações do produto
Fabricante ISSI
Categoria de produto Sram
Tamanho da memória 64 Mbit
Organização 4 m x 16
Pacote/caso TFBGA-48
Série IS66WVE4M16Elll
Tipo Assíncrono
Sensível à umidade Sim
Temperatura operacional -40 ° C a +85 ° C.
Tensão de fornecimento 2.7V a 3.6V
Descrição do produto

O dispositivo de memória integrado IS66/67WVE4M16ELL/BLL/CLL contém uma memória de acesso aleatório de pseudo-estática de 64mbbit usando uma matriz de dram de auto-renda organizada como 4m palavras por 16 bits. O dispositivo inclui vários modos de economia de energia, incluindo o modo de atualização parcial da matriz e o modo de desativação profunda para reduzir o dreno de corrente em espera.

Principais recursos
  • Interface assíncrona e de modo de página
  • Trilhos de tensão dupla para desempenho opcional
  • Modo de página Leia o acesso com 25ns intrapage Read
  • Baixo consumo de energia: <30MA operação, <200µa standby
  • Modo de desativação profunda: <10µA (Typ)
  • Atualização controlada por temperatura e atualização parcial da matriz
  • Faixa de temperatura industrial: -40 ° C a +85 ° C
  • Pacote TFBGA de 48 bola
Imagens do produto
Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb 0 Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb 1 Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI de alta velocidade de 64Mb 2
Embalagem e envio

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher caixas, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com os requisitos.

Perguntas frequentes
Como obter o preço?

Normalmente citamos dentro de 24 horas após receber sua consulta (excluindo fins de semana e férias). Para solicitações urgentes, entre em contato conosco diretamente.

Qual é o seu tempo de entrega?

Pequenos lotes normalmente são enviados dentro de 7 a 15 dias, enquanto grandes lotes podem exigir cerca de 30 dias, dependendo da quantidade e da estação do pedido.

Quais são as suas condições de pagamento?

Preço da fábrica com 30% de depósito e 70% de pagamento t/t antes da remessa.

Qual é o modo de transporte?

Disponível por entrega marítima, aérea ou expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx). Confirme conosco antes de fazer o pedido.

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: 18824255380

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