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64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

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64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI
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大画像 :  64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

商品の詳細:
起源の場所: CN
ブランド名: ISSI
証明: ROHS
モデル番号: IS66WVE4M16EBLL-70BLI
ドキュメント: C1350157_PSRAM(_IS66WVE4M16...33.PDF
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: CONSULT WITH
パッケージの詳細: T/R
受渡し時間: 5-8day
支払条件: T/T,ウェスタン・ユニオン
供給の能力: 10000
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64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI

説明
製造業者:: ISSI 製品カテゴリ:: SRAM
メモリサイズ:: 64 Mbit 組織:: 4 M × 16
パッケージ/場合:: TFBGA-48 シリーズ:: IS66WVE4M16EBLL
タイプ:: アシンクロン 湿気に敏感:: そうだ
ハイライト:

64Mb PSRAMチップ

,

PSRAM チップ CMOS 4M x 16

,

IS66WVE4M16EBLL

PSRAM 64MB高速CMOS疑似静的ランダムアクセスメモリIS66WVE4M16EBLL-70BLI
製品仕様
メーカー Issi
製品カテゴリ sram
メモリサイズ 64 Mbit
組織 4 m x 16
パッケージ/ケース TFBGA-48
シリーズ IS66WVE4M16EBLL
タイプ 非同期
湿気に敏感 はい
動作温度 -40°C〜 +85°C
供給電圧 2.7Vから3.6V
製品説明

IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL統合メモリデバイスには、16ビットで4Mワードとして編成されたセルフリフレッシュドラムアレイを使用して、64MBIT擬似スタチックランダムアクセスメモリが含まれています。このデバイスには、部分的なアレイリフレッシュモードやディープパワーダウンモードを含むいくつかの省電力モードが含まれており、スタンバイ電流排水を減らします。

重要な機能
  • 非同期およびページモードインターフェイス
  • オプションのパフォーマンスのためのデュアル電圧レール
  • ページモードの読み取りアクセスは25nsの内部読み取りで
  • 低消費電力:<30MA操作、<200µAスタンバイ
  • ディープパワーダウンモード:<10µA(typ)
  • 温度制御された更新と部分配列の更新
  • 産業温度範囲:-40°C〜 +85°C
  • 48ボールTFBGAパッケージ
製品画像
64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 0 64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 1 64Mb 高速 PSRAM チップ CMOS IS66WVE4M16EBLL 70BLI 2
パッケージングと配送

利用可能な標準のエクスポートパッケージ。顧客は、要件に応じて、カートン、木製のケース、木製パレットから選択できます。

よくある質問
価格を取得する方法は?

通常、お問い合わせを受けてから24時間以内に引用します(週末や休日を除く)。緊急のリクエストについては、直接お問い合わせください。

あなたの配達時間は何ですか?

通常、小さなバッチは7〜15日以内に発送されますが、大きなバッチには注文数量と季節に応じて約30日かかる場合があります。

あなたの支払い条件は何ですか?

出荷前に30%のデポジットと70%T/Tの支払いを伴う工場価格。

交通手段は何ですか?

海、空気、またはエクスプレスデリバリー(EMS、UPS、DHL、TNT、FEDEX)で利用可能。注文する前に確認してください。

連絡先の詳細
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

コンタクトパーソン: Mr. Sun

電話番号: 18824255380

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