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                        उत्पाद विवरण:
                                                     
 
 
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| निर्माता:: | आईएसएसआई | उत्पाद श्रेणी:: | एसआरएएम | 
|---|---|---|---|
| मेमोरी का आकार:: | 64 एमबीटी | संगठन:: | 4 एम x 16 | 
| पैकेज / मामला:: | टीएफबीजीए-48 | शृंखला:: | IS66WVE4M16EBLL | 
| प्रकारः: | असिंक्रोनस | नमी संवेदनशील:: | हाँ | 
| प्रमुखता देना: | 64 एमबी पीएसआरएएम चिप,पीएसआरएएम चिप सीएमओएस 4 एम x 16,IS66WVE4M16EBLL | ||
| निर्माता | ISSI | 
|---|---|
| उत्पाद श्रेणी | SRAM | 
| मेमोरी आकार | 64 Mbit | 
| संगठन | 4 M x 16 | 
| पैकेज/केस | TFBGA-48 | 
| श्रृंखला | IS66WVE4M16EBLL | 
| प्रकार | अсинक्रोनस | 
| नमी के प्रति संवेदनशील | हाँ | 
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C से +85°C | 
| आपूर्ति वोल्टेज | 2.7V से 3.6V | 
IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL एकीकृत मेमोरी डिवाइस में 64Mbit स्यूडो स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी शामिल है जो 4M शब्दों द्वारा 16 बिट के रूप में व्यवस्थित एक सेल्फ-रिफ्रेश DRAM सरणी का उपयोग करता है। डिवाइस में कई पावर सेविंग मोड शामिल हैं जिनमें आंशिक सरणी रिफ्रेश मोड और डीप पावर डाउन मोड शामिल हैं ताकि स्टैंडबाय करंट ड्रेन को कम किया जा सके।
 
  
 
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक आवश्यकताओं के अनुसार डिब्बों, लकड़ी के बक्से और लकड़ी के पैलेट में से चुन सकते हैं।
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