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Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI

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Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI

Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI
Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI

Ampliación de imagen :  Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: ISSI
Certificación: ROHS
Número de modelo: Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la bas
Documento: C1350157_PSRAM(_IS66WVE4M16...33.PDF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: CONSULT WITH
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8day
Condiciones de pago: T/T, Western Union
Capacidad de la fuente: 10000
Contacto Ahora Charle

Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI

descripción
fabricante:: El ISSI Categoría de producto:: La SRAM
Tamaño de la memoria:: 64 Mbit Organizaciones:: 4 M x 16
Paquete/caso:: TFBGA-48 Serie:: IS66WVE4M16EBLL
Tipo:: Asíncrono Sensible a la humedad:: Sí
Resaltar:

Chip PSRAM de 64Mb

,

Chip PSRAM CMOS 4M x 16

,

IS66WVE4M16EBLL

PSRAM 64 Mb Memoria de acceso aleatorio pseudoestático CMOS de alta velocidad IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Especificaciones del producto
Fabricante El ISSI
Categoría de productos La SRAM
Tamaño de la memoria 64 Mbit
Organizaciones 4 M x 16
Paquete/casilla Se aplicará el método siguiente:
Serie Se trata de un sistema de control de las emisiones.
El tipo Asíncrono
Sensible a la humedad - ¿ Qué?
Temperatura de funcionamiento -40 °C a +85 °C
Válvula de alimentación 2.7V a 3.6V
Descripción del producto

El dispositivo de memoria integrada IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL contiene una memoria de acceso aleatorio pseudoestático de 64Mbit utilizando una matriz DRAM de autoactualización organizada como 4M palabras por 16 bits.El dispositivo incluye varios modos de ahorro de energía, incluido el modo de actualización parcial de la matriz y el modo de apagado profundo para reducir el drenaje de corriente de espera.

Características clave
  • Interfaz de modo asíncrono y de página
  • Relines de doble voltaje para prestaciones opcionales
  • Acceso en modo de lectura de página con lectura de intrapage de 25ns
  • Bajo consumo de energía: < 30 mA de funcionamiento, < 200 μA de espera
  • Modo de apagado profundo: < 10μA (tipo)
  • Actualización controlada por temperatura y actualización parcial de la matriz
  • Rango de temperatura industrial: desde -40°C hasta +85°C
  • Paquete TFBGA de 48 bolas
Imágenes del producto
Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI 0 Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI 1 Chip PSRAM CMOS IS66WVE4M16EBLL de alta velocidad de 64Mb 70BLI 2
Embalaje y envío

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con los requisitos.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, citaremos dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excluyendo fines de semana y días festivos).

¿Cuál es su plazo de entrega?

Los lotes pequeños suelen enviarse dentro de los 7-15 días, mientras que los lotes grandes pueden requerir unos 30 días dependiendo de la cantidad de pedido y la temporada.

¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica con depósito del 30% y pago del 70% T/T antes del envío.

¿Cuál es el modo de transporte?

Disponible por mar, aire o entrega expresa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

etiqueta:

memoria psram,

circuito integrado psram,

microprocesadores electrónicos

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: 18824255380

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