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Produktdetails:
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| IGBT -Typ: | FS (Field Cutoff) | Kollektordurchbruchspannung (Vces): | 600V |
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| Kollektorstrom (IC): | 20A | Verlustleistung (Pd): | 83W |
| Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung (Vce (saß)): | 1,9 V bei 10 A, 15 V | Gate-Schwellenspannung (Vge(th): | 4V@1mA |
| Hervorheben: | 600V Kollektor-Durchbruchspannung IGBT,20A Kollektorstrom Trench FSII IGBT,Trench FSII Technologie Leistungstransistor |
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NCE10TD60BK der 600V Trench FSII IGBT bietet überlegene Leitungs- und Schaltleistungen
Eigenschaften
Trench FSII Technologie bietet
Anwendung
Gehäusemarkierung und Bestellinformationen
| Bauelement | Gehäuse | Markierung |
|---|---|---|
| NCE10TD60BK | TO-252 | NCE10TD60BK |
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
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