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| Tipo IGBT: | FS (interruzione del campo) | Tensione di rottura del collettore (Vces): | 600v |
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| Corrente di collettore (CI): | 20A | Potenza dissipata (Pd): | 83W |
| Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore (Vce (si è seduto)): | 1,9 V@10 A,15 V | Tensione di soglia del gate (Vge(th): | 4V@1mA |
| Evidenziare: | IGBT con tensione di rottura del collettore di 600V,IGBT FSII Trench con corrente di collettore da 20A,Transistor di potenza con tecnologia FSII Trench |
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NCE10TD60BK il 600V Trench FSII IGBT offre prestazioni di conduzione e di commutazione superiori
Caratteristiche
Offerta di Trench FSII Technology
Applicazione
Informazioni sull'imballaggio e sull'ordine
| Dispositivo | Confezione del dispositivo | Marcatura del dispositivo |
|---|---|---|
| NCE10TD60BK | TO-252 | NCE10TD60BK |
Imballaggio e spedizione
I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.
Domande frequenti
Come si ottiene il prezzo?
In genere forniamo un preventivo entro 24 ore dal ricevimento della vostra richiesta (esclusi fine settimana e festivi).
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Persona di contatto: Mr. Sun
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