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durable infrared thermal detector 온라인 제조

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IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96
접촉

동적 무작위 접속 메모리 DRAM IS43TR16256BL-125KBLI 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 병렬 16-비트 BGA-96 IS43/46TR16256B, IS43/46TR16256BL, IS43/46TR85120B, IS43/46TR85120BL종합 실리콘 솔루션, 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM 특징 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V로 역동 호환 ... 자세히보기

IS43TR16128BL-125KBLI 2GB 동적 무작위 액세스 메모리 BGA-96
접촉

제2차 세계 대전 해양기구 256Mx8, 128Mx16 2GB DDR3 SDRAM 특징 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V로 역동 호환 시스템 주파수 최대 1066 MHz의 고속 데이터 전송 속도 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행 8n-비트 프리페치 아키텍처 프로그래밍 가능한 CAS 지연 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2 프로그램 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL) tCK를 기반으로 프로그... 자세히보기

TPS54622RHLREP 17V 입력 6A 출력 동기 단계 다운 DC-DC 전원 공급 칩
접촉

TPS54622-EP 17V 입력, 6A 출력 동기 단계 다운 변환 스위치 TPS54622-EP 장치는 열적으로 강화 된 3.5mm × 3.5mmVQFN 패키지를 채택하고 완전히 기능적인 17V, 6A 동기 단계 다운 변환기입니다.이 장치는 높은 효율을 특징으로 하 고 높은 측면과 낮은 측면 MOSFETs 통합그것은 컴팩트한 디자인을 달성하기 위해 최적화되었습니다. 구성 요소의 수를 줄이기 위해 전류 모드 제어를 채택하고 인덕터 크기를 줄이기 위해 높은 스위치 주파수를 선택함으로써,더 많은 공간을 절약 할 수 있습니다.출력 전압 시... 자세히보기

K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND 플래시 메모리 칩
접촉

EMBEDDED NAND 플래시 메모리 칩 K3KL9L90CM-MGCT는 주로 고급 모바일 장치에 적용됩니다. K3KL9L90CM-MGCT K3KL9L90CM-MGCT는 삼성전자 UFS(Universal Flash Storage) 시리즈의 임베디드 NAND 플래시 메모리 칩입니다. 스마트폰 및 태블릿을 포함한 고급 모바일 장치용으로 설계되었으며, 빠른 데이터 전송 및 저장 기능을 제공합니다. UFS 2.1 표준을 준수하며, 최신 스마트 장치의 까다로운 저장 요구 사항을 충족하기 위해 뛰어난 읽기/쓰기 속도, 전력 소비 감소 및 소형 ... 자세히보기

PT1000M213B -M213 플래티넘 저항 통신 안테나 온도 감지기 PT1000B
접촉

백금 저항성 온도 검출기 PT1000M213B -M213 박막 백금 저항 시리즈 PT1000B 제품 사양 모델 온도 범위 및 정확도 PT100 a -200-420-/± 1 ℃ PT100 b -200-420-/± 3 ℃ PT100 2B -200-420-/± 6 ℃ M213 PT100 a -70-500-/± 0.1 ℃ M213 PT100 b -70-500-/± 0.15 ℃ M213 PT1000 a -70-500-/± 0.1 ℃ M213 PT1000 b -70-500-/± 0.15 ℃ 제품 설명 백금 저항 온도 검출기 PT1000M213... 자세히보기

GW1N-UV2LQ144XC6/I5 72K 비트 프로그래밍 가능한 논리 장치 CPLD 프로그래밍 가능한 논리 컨트롤러
접촉

프로그래밍 가능한 논리 장치 CPLD FPGA 컨트롤러 칩 GW1N-UV2LQ144XC6/I5 제품 사양 속성 가치 LUT4 2,304 FF 2,016 SSRAM (비트) 18K BSRAM (비트) 72K BSRAM 4 (비트) 96K PLL 1 I/O 은행 6[2] GPIO 125 원자력 전력 전압 1.8V/2.5V/3.3V 제품 개요 고윈 반도체의 GW1N FPGA는 리틀비 시리즈 1에 속하며 풍부한 논리적 자원으로 높은 성능을 제공합니다.여러 I/O 레벨 표준을 지원하고 임의 접속 메모리를 탑재, 디지털 신호 처리 모듈, 단계 ... 자세히보기

XC6SLX9-2TQG144C 576Kbit 1430ALM FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이 칩
접촉

CPLD FPGA 576Kbit 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이 프로그래밍 가능한 논리 장치 칩 XC6SLX9-2TQG144C 제품 사양 속성 가치 제품 분류 FPGA - 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열 RoHS 세부 사항 시리즈 XC6SLX9 논리 요소 수 9152 LE 적응성 논리 모듈 - ALM 1430 ALM 임베디드 메모리 576kbit I/O 수 102 I/O 공급 전압 - 분 1.14V 공급 전압 - 최대 1.26V 작동 온도 범위 0°C ~ +85°C 장착 방식 SMD/SMT 패키지/케이스 TQFP-144 브... 자세히보기

P2041NXE7PNC PBGA-780 패키지 1.5W 통신 프로세서 전용 통신 칩
접촉

통신 프로세서 PBGA-780 패키지 P2041NXE7PNC 전용 통신 칩 제품 사양 속성 가치 패키지 종류 플립 칩, 와이어 본드 또는 플립 칩 BGA Dsp 슬라이스 3까지840 전력 소비 1.5W에서 100W 인터페이스 프로토콜 PCI Express, 이더넷, USB 등 논리적 요소 최대 1,952,000 디자인 도구 비바도 디자인 스위트 보안 기능 AES와 SHA-256 암호화, 보안 부팅 등 제조업자 Xilinx 작동 온도 -40°C ~ 100°C 적용 임베디드 시스템 블록 램 최대 68 Mb 구성 메모리 최대 8 Mb I... 자세히보기

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IS43TR16256BL-125KBLI 동적 무작위 액세스 메모리 DRAM 4GB 256MX16 1.283V 215MA 1.45V 800MHZ 평행 16-비트 BGA-96
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IS43TR16128BL-125KBLI 2GB 동적 무작위 액세스 메모리 BGA-96
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TPS54622RHLREP 17V 입력 6A 출력 동기 단계 다운 DC-DC 전원 공급 칩
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K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND 플래시 메모리 칩
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PT1000M213B -M213 플래티넘 저항 통신 안테나 온도 감지기 PT1000B
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GW1N-UV2LQ144XC6/I5 72K 비트 프로그래밍 가능한 논리 장치 CPLD 프로그래밍 가능한 논리 컨트롤러
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XC6SLX9-2TQG144C 576Kbit 1430ALM FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 어레이 칩
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P2041NXE7PNC PBGA-780 패키지 1.5W 통신 프로세서 전용 통신 칩
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MCU 마이크로 제어 장치

UART SPI MCU 마이크로컨트롤러 Arm Cortex-A35 마이크로프로세서 칩 MA35D16F887C

아트멜 8 비트 MCU 마이크로 컨트롤러 유닛 16 32KBytes 프로그래밍 플래시 ATMEGA168PA-AU

128kB 8비트 MCU 마이크로컨트롤러 유닛 AVR 코어 마이크로컴퓨터 칩 ATMEGA128A-AU

FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD 필드 프로그래밍 가능한 장치 논리 배열

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O 필드 게이트 배열 필드 프로그래밍 가능한 배열 논리 장치 칩

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld 칩 프로그래밍 가능한 논리 칩 85000LE