Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияЧип SRAM

Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(19)

Блок микроконтроллера MCU

(17)

Система SOC на чипе

(11)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(12)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(15)

Никакой вспышки

(12)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(21)

Программирование ПЛК

(14)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125

DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125
DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125
DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125 DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125 DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125 DDR3 SDRAM Memory Chip IMD128M16R39CG8GNF-125

Большие изображения :  Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: ICMAX
Сертификация: RoHS
Номер модели: IMD128M16R39CG8GNF-125
Документ: 96D421F163B8527A26AFCBB2BF4...80.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 2
Цена: consult
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5 ～ 8 дней
Условия оплаты: T/T, Western Union
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125

описание
Упаковка продукта: ФБГА-96(8х14) Метод упаковки: Сплетенная лента
Грубый вес товара: 0,38 (г) Конфигурация: 64 мег x 4 x 8 банков
Освежите отсчет: 8к
Выделить:

Чип памяти DDR3 SDRAM 1

,

5 В

,

Модуль памяти FBGA-96 DDR3

Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125
DDR3 SDRAM512M4 64 МГ x 4 x 8 банков 256 М8 32 МГ x 8 x 8 банков
Особенности
  • VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • 1.5В центрально-окончательный I/O push/pull
  • Дифференциальная двунаправленная данная строб
  • Архитектура 8n-битного префетча
  • Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
  • 8 внутренних банков
  • Номинальное и динамическое окончание на стенде (ODT) для сигналов данных, светодиода и маски
  • Программируемая задержка чтения CAS (CL)
  • Указанная латентность CAS-аддитива (AL)
  • Программируемый на основе CAS WRITE latency (CWL) ontCK
  • Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и разрыв (BC) 4 ((через набор реестра режима [MRS])
  • Избираемый BC4 или BL8 на ходу (OTF)
  • Режим самообновления
  • TC от 0 до 70 °C
  • Температура самообновления (SRT)
  • Автоматическое обновление (ASR)
  • Уравнение записи
  • Многоцелевой регистр
  • Калибровка выходного драйвера
Варианты
  • 1. Маркировка
    • Конфигурация
      • 512 Мг х 4 512 М4
      • 256 Мг х 8 256 М8
      • 128 МГ х 16 128 М16
    • Пакет FBGA (без Pb) x4, x8
      • 78 шаров (8мм х 10,5мм) Rev. K /
      • 78 шаров (8мм х 10,5мм)
    • Пакет FBGA (без Pb) x16
      • 96 шаров (8мм х 14мм) Rev. K GNF
      • 96 шаров (8мм х 14мм)
    • Сроки время цикла
      • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
      • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
      • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
      • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333) -15E
      • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066) -187E
    • Рабочая температура
      • Коммерческие (0°C ≤ TC ≤ +70°C) Никакие
      • Промышленный (~40°C ≤ TC ≤ +95°C) IT
    • Ревизия: К / Н
Параметры
Параметр 512 мегаграмм x 4 256 мегаграмм x 8 128 мегаграмм x 16
Конфигурация 64 МГ х 4 х 8 банков 32 МГ х 8 х 8 банков 16 МГ х 16 х 8 банков
Количество обновлений 8K 8K 8K
Адресование строки 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
Банковское адресование 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
Адресование столбца 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Размер страницы 1KB 1KB 2KB
Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125 0 Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125 1 Чип памяти DDR3 SDRAM IMD128M16R39CG8GNF-125 2
Упаковка и перевозка

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы

Как получить цену?

Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).

Сколько у вас сроков доставки?

Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие партии заказов могут потребовать примерно 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.

Какие у вас условия оплаты?

Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.

Какие варианты доставки?

Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

тег:

чип SRAM,

чип памяти SRAM,

встроенный SRAM

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 256 кбит

Организация:: 32 к х 8
Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 8 Mbit

Организация:: 512 к x 16
Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Каталог продукта: Память > Память статического случайного доступа (SRAM)

Универсальная упаковка: TSOP-44

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 1 Mbit

Организация:: 128 к × 8
18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 18 Мбит

Организация:: 512 к х 36
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.