DDR3 SDRAM মেমরি চিপ IMD128M16R39CG8GNF-125

• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
• 1.5V কেন্দ্র-টার্মিনেটেড পুশ/পুল I/O
• ডিফারেনশিয়াল দ্বি-দিক ডেটা স্ট্রোব
• 8n-বিট প্রিফেচ আর্কিটেকচার
• ডিফারেনশিয়াল ক্লক ইনপুট (CK, CK#)
• 8 অভ্যন্তরীণ ব্যাংক
• ডেটা, স্ট্রোব এবং মাস্ক সিগন্যালের জন্য নামমাত্র এবং ডাইনামিক অন-ডাই টার্মিনেশন (ODT)
• প্রোগ্রামেবল CAS READ লেটেন্সি (CL)
• পোস্ট করা CAS অ্যাডিটিভ লেটেন্সি (AL)
• tCK-এর উপর ভিত্তি করে প্রোগ্রামযোগ্য CAS WRITE লেটেন্সি (CWL)
• 8-এর ফিক্সড বার্স্ট লেন্থ (BL) এবং 4-এর বার্স্ট চপ (BC) (মোড রেজিস্টার সেট [MRS]-এর মাধ্যমে)
• অন-দ্য-ফ্লাই (OTF)-এ সিলেক্টেবল BC4 বা BL8
• সেলফ রিফ্রেশ মোড
• 0°C থেকে 70°C পর্যন্ত TC
• সেলফ রিফ্রেশ তাপমাত্রা (SRT)
• স্বয়ংক্রিয় সেলফ রিফ্রেশ (ASR)
• রাইট লেভেলিং
• মাল্টিপারপাস রেজিস্টার
• আউটপুট ড্রাইভার ক্যালিব্রেশন

• 1. চিহ্নিতকরণ
  • কনফিগারেশন
    • 512 মেগ x 4 512M4
    • 256 মেগ x 8 256M8
    • 128 মেগ x 16 128M16
  • FBGA প্যাকেজ (Pb-মুক্ত) – x4, x8
    • 78-বল (8mm x 10.5mm) Rev. K /
    • 78-বল (8mm x 10.5mm) Rev. N /
  • FBGA প্যাকেজ (Pb-মুক্ত) – x16
    • 96-বল (8mm x 14mm) Rev. K GNF
    • 96-বল (8mm x 14mm) Rev. N /
  • টাইমিং – চক্রের সময়
    • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
    • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
    • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
    • 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333) -15E
    • 1.87ns @ CL = 7 (DDR3-1066) -187E
  • অপারেটিং তাপমাত্রা
    • বাণিজ্যিক (0°C ≤ TC ≤ +70°C) কোনটিই নয়
    • শিল্প (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) IT
  • সংশোধন :K / :N

স্ট্যান্ডার্ড এক্সপোর্ট প্যাকেজিং উপলব্ধ। গ্রাহকরা তাদের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কার্টন, কাঠের কেস এবং কাঠের প্যালেট থেকে বেছে নিতে পারেন।