Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияЧип SRAM

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(42)

Блок микроконтроллера MCU

(129)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(26)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(20)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Электронные компоненты

(79)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(19)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(38)
Оставьте нам сообщение

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Bit I2C Memory FRAM
MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Bit I2C Memory FRAM MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Bit I2C Memory FRAM MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Bit I2C Memory FRAM

Большие изображения :  MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: RAMXEED/FUJITSU
Сертификация: rohs
Номер модели: MB85RC16PNF-G-JNERE1
Документ: 1457706526125.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C

описание
Категория продукта:: F-ОЗУ Размер памяти:: 16 Кбит
Максимальная тактовая частота:: 1 МГц Упаковка/Чехол:: СОИК-8
Тип интерфейса:: I2C Напряжение питания: 2.7V~3.6V
Рабочая температура:: -40℃~+85℃

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 Кбит (2 K × 8) I2C память FRAM
Обзор продукта

MB85RC16 - это микросхема FRAM (ферроэлектрическая оперативная память) с конфигурацией 2048 слов × 8 бит, использующая ферроэлектрический процесс и технологии кремниевого затвора CMOS для формирования энергонезависимых ячеек памяти. В отличие от SRAM, MB85RC16 сохраняет данные без необходимости резервного аккумулятора. Ячейки памяти поддерживают не менее 10¹⁰ операций чтения/записи на бит, что значительно превышает долговечность других энергонезависимых продуктов памяти.

MB85RC16 обеспечивает запись на уровне байтов без длительного времени записи, требуемого памятью Flash и E²PROM, устраняя необходимость в последовательностях ожидания состояния занятости записи.

Ключевые особенности
  • Конфигурация бит: 2048 слов × 8 бит
  • Рабочее напряжение питания: от 2,7 В до 3,6 В
  • Рабочая частота: 1 МГц (макс.)
  • Двухпроводной последовательный интерфейс: полностью управляется последовательными тактовыми сигналами (SCL) и последовательными данными (SDA)
  • Диапазон рабочих температур: −40°C до +85°C
  • Сохранение данных: 10 лет (+75°C)
  • Ресурс чтения/записи: 10¹⁰ раз
  • Корпус: Пластиковый SOP, 8-контактный (FPT-8P-M02)
  • Низкое энергопотребление: рабочий ток 0,1 мА (макс. при 1 МГц), ток в режиме ожидания 0,1 мкА (типовой)
Описание функций выводов
Номер вывода Имя вывода Функциональное описание
1-3 NC Неподключенные выводы - оставить неподключенными
4 VSS Вывод заземления
5 SDA Вывод ввода/вывода последовательных данных для двунаправленной связи адреса памяти и данных чтения/записи. Выход с открытым коллектором, требующий внешнего подтягивающего резистора. Поддерживает подключение нескольких устройств.
6 SCL Вывод последовательных тактовых сигналов для синхронизации ввода/вывода последовательных данных. Данные считываются по переднему фронту и выводятся по заднему фронту.
7 WP Вывод защиты от записи. При уровне "H" запись отключена. При уровне "L" вся память может быть перезаписана. Чтение всегда включено независимо от состояния. Внутренне подтянут к VSS.
8 VDD Вывод напряжения питания
Схемы продукта
MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C 0 MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C 1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) Битовая память I2C 2
Упаковка и доставка

Доступна стандартная экспортная упаковка. Клиенты могут выбирать между картонными коробками, деревянными ящиками и деревянными поддонами в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?

Обычно мы предоставляем расценки в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней). Для срочных запросов цен, пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую.

Каково ваше время доставки?

Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как крупные партии могут потребовать около 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.

Каковы ваши условия оплаты?

Заводские цены с 30% предоплатой и 70% остаточным платежом через T/T перед отгрузкой.

Какие есть варианты доставки?

Доступные способы доставки включают морские перевозки, авиаперевозки и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Пожалуйста, подтвердите предпочтительный метод перед заказом.

Общий рейтинг

5.0
Основано на 50 отзывах об этом поставщике

Оценка

Ниже представлено распределение всех рейтингов:
5 звезды
100%
4 звезды
0%
3 звезды
0%
2 звезды
0%
1 звезды
0%

Все отзывы

J
Jacques
France Oct 8.2025
Полезно (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
тег:

чип SRAM,

чип памяти SRAM,

встроенный SRAM

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

256Kbit TSOP-28 SRAM Чип статическая память случайного доступа CY62256NLL-55ZXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 256 кбит

Организация:: 32 к х 8
Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

Статическая 8-мегабитная микросхема SRAM COMS с произвольным доступом CY7C1051DV33-10ZSXIT

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 8 Mbit

Организация:: 512 к x 16
Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Микросхема SRAM 512k X 16 IS62WV51216BLL-55TLI CMOS, низкое напряжение

Каталог продукта: Память > Память статического случайного доступа (SRAM)

Универсальная упаковка: TSOP-44

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

1Мбит COMS Sram Memory Chip Статическая память случайного доступа CY7C1019DV33-10VXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 1 Mbit

Организация:: 128 к × 8
18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

18Mbit Статическая SRAM микросхема 6.5 нс COMS CY7C1381KV33-133AXI

изготовитель:: INFINEON

Категория продукта:: SRAM

Размер памяти:: 18 Мбит

Организация:: 512 к х 36
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.