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Datos del producto:
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Ahora Charle
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| Categoría de producto:: | F-RAM | Tamaño de la memoria:: | 16 Kbit |
|---|---|---|---|
| Frecuencia máxima de reloj:: | 1 MHz | Paquete/estuche:: | SOIC-8 |
| Tipo de interfaz:: | I2C | Voltaje de suministro: | 2.7V~3.6V |
| Temperatura de funcionamiento:: | -40℃~+85℃ |
El MB85RC16 es un chip FRAM (Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) configurado como 2.048 palabras × 8 bits, que utiliza tecnologías de proceso ferroeléctrico y de puerta de silicio CMOS para formar celdas de memoria no volátil. A diferencia de la SRAM, el MB85RC16 retiene datos sin necesidad de una batería de respaldo. Las celdas de memoria admiten al menos 10¹⁰ operaciones de lectura/escritura por bit, superando significativamente la resistencia de otros productos de memoria no volátil.
El MB85RC16 permite escrituras a nivel de byte sin los largos tiempos de escritura requeridos por la memoria Flash y la E²PROM, eliminando la necesidad de secuencias de espera de estado de escritura ocupada.
| Número de pin | Nombre del pin | Descripción funcional |
|---|---|---|
| 1 a 3 | NC | Pines sin conexión - Dejar sin conectar |
| 4 | VSS | Pin de tierra |
| 5 | SDA | Pin de E/S de datos serie para comunicación bidireccional de dirección de memoria y datos de lectura/escritura. Salida de drenador abierto que requiere resistencia de pull-up externa. Admite conexiones de múltiples dispositivos. |
| 6 | SCL | Pin de reloj serie para la temporización de entrada/salida de datos serie. Los datos se muestrean en el flanco ascendente y se emiten en el flanco descendente. |
| 7 | WP | Pin de protección de escritura. Cuando está en nivel "H", la escritura se deshabilita. Cuando está en nivel "L", toda la memoria puede ser sobrescrita. La lectura siempre está habilitada independientemente del estado. Internamente conectado a VSS. |
| 8 | VDD | Pin de voltaje de suministro |
Embalaje estándar de exportación disponible. Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y paletas de madera según sus requisitos.
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