MB85RC16PNF-G-JNERE1 16 K (2 K × 8) บิต I2C Memory FRAM

MB85RC16 เป็นชิป FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) ที่กำหนดค่าเป็น 2,048 คำ × 8 บิต โดยใช้กระบวนการเฟอร์โรอิเล็กทริกและเทคโนโลยี CMOS แบบซิลิคอนเกตในการสร้างเซลล์หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน แตกต่างจาก SRAM, MB85RC16 จะเก็บข้อมูลไว้โดยไม่ต้องใช้แบตเตอรี่สำรอง เซลล์หน่วยความจำรองรับการอ่าน/เขียนอย่างน้อย 10¹⁰ ครั้งต่อบิต ซึ่งเกินกว่าความทนทานของผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนอื่นๆ อย่างมาก

MB85RC16 ช่วยให้สามารถเขียนข้อมูลระดับไบต์ได้โดยไม่ต้องใช้เวลาเขียนนานเหมือนหน่วยความจำ Flash และ E²PROM จึงไม่ต้องรอสถานะเขียนยุ่ง

• การกำหนดค่าบิต: 2,048 คำ × 8 บิต
• แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟขณะทำงาน: 2.7 V ถึง 3.6 V
• ความถี่ขณะทำงาน: 1 MHz (สูงสุด)
• อินเทอร์เฟซอนุกรมแบบสองสาย: ควบคุมได้อย่างสมบูรณ์ด้วยสัญญาณนาฬิกาอนุกรม (SCL) และข้อมูลอนุกรม (SDA)
• ช่วงอุณหภูมิขณะทำงาน: −40°C ถึง +85°C
• การเก็บรักษาข้อมูล: 10 ปี (+75°C)
• ความทนทานในการอ่าน/เขียน: 10¹⁰ ครั้ง
• แพ็คเกจ: SOP พลาสติก, 8 ขา (FPT-8P-M02)
• การใช้พลังงานต่ำ: กระแสขณะทำงาน 0.1mA (สูงสุด @1 MHz), กระแสสแตนด์บาย 0.1 μA (ทั่วไป)

มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกระดาษ กล่องไม้ และพาเลทไม้ได้ตามความต้องการ