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| 상품 카테고리 :: | F-램 | 메모리 용량 :: | 16Kbit |
|---|---|---|---|
| 최대 클록 주파수:: | 1 마하즈 | 패키지/케이스:: | SOIC-8 |
| 인터페이스 유형:: | I2C | 공급 전압: | 2.7V~3.6V |
| 작동 온도:: | -40℃~+85℃ |
MB85RC16는 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 칩으로, 2,048 단어 × 8 비트로 구성되어 있습니다.비휘발성 메모리 셀을 형성하기 위해 철전기 공정 및 실리콘 게이트 CMOS 프로세스 기술을 이용하는. SRAM과 달리 MB85RC16는 백업 배터리가 필요하지 않고 데이터를 저장합니다. 메모리 셀은 비트당 최소 1010개의 읽기/쓰기 작업을 지원합니다.다른 비휘발성 메모리 제품의 내구성을 현저히 초과하는.
MB85RC16은 플래시 메모리 및 E2PROM에 의해 요구되는 긴 기록 시간이 없이 바이트 수준의 기록을 가능하게 하며, 바쁜 상태 대기 순서를 작성할 필요성을 제거합니다.
| 핀 번호 | 핀 이름 | 기능 설명 |
|---|---|---|
| 1 ~ 3 | NC | 연결되지 않은 핀 - 연결되지 않은 상태로 남겨 |
| 4 | VSS | 토지 핀 |
| 5 | SDA | 메모리 주소와 읽기/쓰기 데이터의 양방향 통신을 위한 일련 데이터 I/O 핀. 외부 끌어올림 저항을 필요로 하는 오픈 드레인 출력. 여러 장치 연결을 지원한다. |
| 6 | SCL | 일련 데이터의 입력/출력 타이밍을 위한 일련 시계 핀. 데이터는 상승 가장자리에 샘플링되고 감소 가장자리에 출력됩니다. |
| 7 | WP | 보호 핀을 작성하십시오. "H" 수준에서, 글쓰기가 비활성화됩니다. "L" 수준에서, 전체 메모리가 덮어 쓰일 수 있습니다. 상태와 관계없이 항상 읽기가 활성화됩니다. 내부적으로 VSS로 끌립니다. |
| 8 | VDD | 공급 전압 핀 |
표준 수출 패키지 사용 가능. 고객은 필요에 따라 카튼, 목재 케이스 및 목재 팔렛을 선택할 수 있습니다.
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