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Chip EEPROM STMicroelectronics de 64 Kbit 5.5V 64 Kbit M24C64-RMN6TP

Name: Chip EEPROM STMicroelectronics de 64 Kbit 5.5V 64 Kbit M24C64-RMN6TP
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: M24C64-RMN6TP
Availability: InStock

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Chip EEPROM STMicroelectronics de 64 Kbit 5.5V 64 Kbit M24C64-RMN6TP

Ampliación de imagen : Chip EEPROM STMicroelectronics de 64 Kbit 5.5V 64 Kbit M24C64-RMN6TP

Datos del producto:

Lugar de origen:	CN
Nombre de la marca:	STMicroelectronics
Certificación:	ROHS
Número de modelo:	M24C64-RMN6TP
Documento:	C79988_EEPROM_M24C64-RMN6TP...03.PDF

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	consult with
Detalles de empaquetado:	T/R
Tiempo de entrega:	5-8day
Condiciones de pago:	T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:	10000

Contacto Ahora Charle

Chip EEPROM STMicroelectronics de 64 Kbit 5.5V 64 Kbit M24C64-RMN6TP

descripción

fabricante::	STMicroelectrónica	Categoría de producto::	EEPROM
Tamaño de la memoria::	kbit 64	Tipo de interfaz::	2 cables, I2C
Paquete/caso::	SOIC-8	Retención de datos::	200 años
Serie::	M24C64-R	Subcategoría::	Almacenamiento de la memoria y de datos
Resaltar:	Chip EEPROM de 64 Kbit , Chip EEPROM 5.5V , M24C64-RMN6TP

64 kbit Serial I²C Bus Eeprom borrable Memoria de lectura programable M24C64-RMN6TP

Descripción general del producto

ElM24C64-RMN6TPes un alto rendimientoEEPROM de 64 kbits serial I²C Busde STMicroelectronics, que ofrece un almacenamiento de memoria confiable no volátil con características excepcionales de retención de datos y resistencia.

Especificaciones clave

Fabricante	Stmicroelectronics
Tamaño de memoria	64 kbit (8 kbyte)
Tipo de interfaz	2 alambres, i2c
Paquete	Soic-8
Retención de datos	200 años
Voltaje de funcionamiento	1.7 V a 5.5 V
Temperatura de funcionamiento	-40 ° C a +85 ° C

Características avanzadas

Compatible con todos los modos de bus I2C (1 MHz, 400 kHz, 100 kHz)
Tamaño de página de 32 bytes con capacidad de página bloqueable de escritura
Operación de voltaje de suministro único de 1.7V a 5.5V
Tiempos de escritura rápida: byte escribe dentro de 5 ms, página escribe dentro de los 5 ms
Admite modos de lectura aleatorios y secuenciales
Protección de escritura de matriz de memoria completa
Protección mejorada de ESD/Latch-Up
Más de 4 millones de resistencia al ciclo de escritura

Paquetes disponibles