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74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC

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74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC

74HCT1G00GV,125 S A Single 2-input NAND Gate Inputs Include Clamp Diodes . Thisenables The Use Of Current Limiting Resistors To Interface Inputs To Voltages In Excess Of VCC
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Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Nexperia
Certificación: ROHS
Número de modelo: 74HCT1G00GV,125
Documento: C9DE92C7F5D88CF9B1693579271...BB.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto Ahora Charle

74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC

descripción
Descripción: Puerta NAND única de 2 entradas; TTL habilitado VCC (V): 4.5 a 5.5
Niveles de conmutación lógica: CMOS/LVTTL Capacidad de accionamiento de salida (mA): ± 2
tPD (ns): 10 fmáx (MHz): 36
Resaltar:

74HCT1G00GV Puerta NAND con diodos de sujeción

,

Resistencias limitadoras de corriente de puerta NAND de 2 entradas

,

S Una puerta NAND interfaz de voltaje excesivo

74HCT1G00GV,125 - Puerta NAND de 2 entradas única
El 74HCT1G00GV,125 es una puerta NAND de 2 entradas única que presenta entradas con diodos de pinza. Este diseño permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC.
Características clave
  • Amplio rango de voltaje de suministro de 2.0 V a 6.0 V
  • Baja disipación de potencia CMOS
  • Niveles de entrada optimizados para variantes específicas:
    • 74HC1G00: Nivel CMOS
    • 74HCT1G00: Nivel TTL
  • Impedancia de salida simétrica
  • Alta inmunidad al ruido
  • Rendimiento de bloqueo supera los 100 mA según JESD78 Clase II Nivel B
  • Retardos de propagación equilibrados
  • Cumple con los estándares JEDEC:
    • JESD8C (2.7 V a 3.6 V)
    • JESD7A (2.0 V a 6.0 V)
  • Protección ESD:
    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 clase 2 supera los 2000 V
    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 clase C3 supera los 1000 V
  • Rangos de temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C y -40°C a +125°C
Opciones de encapsulado
Número de tipo Encapsulado Rango de temperatura Descripción Versión
74HC1G00GW
74HCT1G00GW		 TSSOP5 -40°C a +125°C Encapsulado de plástico de contorno pequeño y delgado; 5 pines; ancho del cuerpo 1.25 mm SOT353-1
74HC1G00GV
74HCT1G00GV		 SC-74A -40°C a +125°C Encapsulado de plástico para montaje en superficie; 5 pines SOT753
Imágenes del producto
74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC 0 74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC 1 74HCT1G00GV,125 S Una puerta NAND de 2 entradas. Las entradas incluyen diodos de sujeción. Esto permite el uso de resistencias limitadoras de corriente para interconectar las entradas a voltajes superiores a VCC 2

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J
Jacques
France Oct 8.2025
Es muy útil. (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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