আইএসএসআই 4 এমবিট 8 বিট স্ট্যাটিক র্যাম চিপ স্ট্যাটিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি IS61WV5128BLL-10TLI

• উচ্চ-গতির অ্যাক্সেসের সময়: 8, 10, 20 এনএস
• কম সক্রিয় শক্তি খরচ: 85 মেগাওয়াট (সাধারণ মান)
• লো স্ট্যান্ডবাই পাওয়ার সেবন: 7 মেগাওয়াট (সাধারণ মান) সিএমওএস স্ট্যান্ডবাই
• একক বিদ্যুৎ সরবরাহ: ভিডিডি 1.65V থেকে 2.2V (IS61WV5128AXX) বা 2.4V থেকে 3.6V (IS61/64WV5128BXX)
• সম্পূর্ণ স্ট্যাটিক অপারেশন: কোনও ঘড়ি বা রিফ্রেশ প্রয়োজনীয়তা নেই
• তিন-রাষ্ট্রীয় আউটপুট
• শিল্প ও স্বয়ংচালিত তাপমাত্রা সমর্থন
• সীসা-মুক্ত বিকল্প উপলব্ধ

IS61WV5128AXX এবং IS61/64WV5128BXX হ'ল অতি-উচ্চ-গতি, নিম্ন-শক্তি, 524,288-বিট 8-বিট সিএমওএস স্ট্যাটিক র‌্যাম ডিভাইস। আইএসএসআইয়ের উচ্চ-পারফরম্যান্স সিএমওএস প্রক্রিয়া ব্যবহার করে উত্পাদিত, এই ডিভাইসগুলি উচ্চ কার্যকারিতা এবং কম বিদ্যুৎ খরচ উভয়ই সরবরাহ করতে উদ্ভাবনী সার্কিট ডিজাইন প্রযুক্তি একত্রিত করে।

সিই যখন উচ্চ স্তরে থাকে (নির্বাচিত নয়), ডিভাইসটি স্ট্যান্ডবাই মোডে প্রবেশ করে, সিএমওএস ইনপুট স্তরে বিদ্যুতের খরচ হ্রাস করে। 36-পিন 400 মিল এসওজে, 36-পিন মিনি বিজিএ এবং 44-পিন টিএসওপি (টাইপ II) সহ বিভিন্ন প্যাকেজে উপলব্ধ।

স্ট্যান্ডার্ড রফতানি প্যাকেজিং উপলব্ধ। গ্রাহকরা তাদের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কার্টন, কাঠের কেস এবং কাঠের প্যালেটগুলি বেছে নিতে পারেন।