4Mbit 8bit de memoria RAM estática con chip de acceso aleatorio estático IS61WV5128BLL-10TLI

• Tiempo de acceso de alta velocidad: 8, 10, 20 ns
• Bajo consumo de energía activa: 85 MW (valor típico)
• Bajo consumo de energía en espera: 7 MW (valor típico) CMOS en espera
• Fuente de energía única: VDD 1.65V a 2.2V (IS61WV5128AXX) o 2.4V a 3.6V (IS61/64WV5128BXX)
• Operación totalmente estática: sin reloj o requisitos de actualización
• Salida de tres estados
• Soporte de temperatura industrial y automotriz
• Opción sin plomo disponible

IS61WV5128AXX e IS61/64WV5128BXX son dispositivos de RAM estáticos de CMOS de 8 bits de alta velocidad ultra alta, de baja velocidad y 524,288 bits. Fabricado utilizando el proceso CMOS de alto rendimiento de ISSI, estos dispositivos combinan tecnología de diseño de circuitos innovadores para ofrecer un alto rendimiento y un bajo consumo de energía.

Cuando CE está en un nivel alto (no seleccionado), el dispositivo ingresa al modo de espera, reduciendo el consumo de energía a los niveles de entrada CMOS. Disponible en varios paquetes, incluidos SOJ de 36 pines 400 mil, Mini BGA de 36 pines y TSOP de 44 pines (Tipo II).

Embalaje de exportación estándar disponible. Los clientes pueden elegir entre cajas de cartones, estuches de madera y paletas de madera de acuerdo con sus requisitos.