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MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package

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MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package

MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package
MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package

Image Grand :  MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: onsemi
Certification: rohs
Numéro de modèle: MPSA42
Documents: _MPSA42.PDF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 1000000
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MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package

description de
Catégorie de produit :: Transistors bipolaires - BJT Technologie:: SI
Montage du style :: Par le trou Paquet/cas :: To-92-3
Polarité du transistor :: NPN Configuration:: Célibataire
Mettre en évidence:

300V Collector-Base Voltage BJT

,

500mA Collector Current NPN Transistor

,

TO-92-3 Package Bipolar Transistor

MPSA42 Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Small Signal Transistor
Features
  • These are Pb−Free Devices*
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector−Emitter Voltage
MPSA43 VCEO 200 Vdc
MPSA42 300
Collector−Base Voltage
MPSA43 VCBO 200 Vdc
MPSA42 300
Emitter−Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current − Continuous IC 500 mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C		 PD 625
5.0		 mW
mW/°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C		 PD 1.5
12		 W
mW/°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range		 TJ, Tstg −55 to
+150		 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient		 RJA 200 °C/W
Thermal Resistance,
Junction−to−Case		 RJC 83.3 °C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability

MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package 0 MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package 1 MPSA42 NPN Bipolar Transistor with 300V Collector-Base Voltage 500mA Collector Current in TO-92-3 Package 2

Packaging & Shipping

Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.

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Produit Tag:

Puce de microcontrôleur,

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Coordonnées
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Personne à contacter: Mr. Sun

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