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16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT

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16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT

16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT
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大画像 :  16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT

商品の詳細:
起源の場所: TWN
ブランド名: Infineon
証明: ROHS
モデル番号: CY62167DV30LL-55ZXIT
ドキュメント: 485070C85B65368BE83E53161FF...F7.pdf
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: CONSULT WITH
パッケージの詳細: T/R
受渡し時間: 5-8day
支払条件: ウェスタンユニオン,T/T
供給の能力: 10000
連絡先 今雑談しなさい

16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT

説明
製造業者:: INFINEON 製品カテゴリ:: SRAM
メモリサイズ:: 16 Mbit パッケージ/場合:: TSOP-48
湿気に敏感:: そうだ シリーズ:: CY62167DV30LL
工場パック数量:: 1000 下位範疇:: 記憶及びデータ記憶
ハイライト:

16Mbit SRAMチップ

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SRAMチップメモリストレージ

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CY62167DV30LL-55ZXIT

SRAM 16Mbit 静的 RAM 高性能 COMS 静的ランダムアクセスメモリ CY62167DV30LL-55ZXIT
製品仕様
製造者: インフィニオン
製品カテゴリー: SRAM
メモリサイズ: 16 Mbit
パッケージ/ケース: TSOP-48
湿度感がある そうだ
シリーズ: CY62167DV30LL
工場用 梱包量: 1000
サブカテゴリ: メモリとデータ保存
製品説明

CY62167DV30は,1M文字×16ビットで組織された高性能CMOS静的RAMであり,超低活電消費のための高度な回路設計を備えています.

主要 な 特徴
  • 1 M × 16 または 2 M × 8 SRAM として構成できる薄い小さなコンスイートパッケージ (TSOP-I)
  • 広い電圧範囲: 2.2V〜3.6V
  • 超低アクティブ電源:典型的なアクティブ電流: f = 1 MHz で 2 mA
  • 超低待機電源
  • CE1,CE2,OE機能でメモリを簡単に拡張する
  • 選択を停止すると自動停止
  • 最適の速度/電力を確保するための補完金属酸化半導体 (CMOS)
  • Pb のない 48 ボール の非常に細いピッチ ボール 格子配列 (VFBGA) で利用可能

このデバイスは,バッテリー寿命が延長される (MoBL®技術) 携帯用アプリケーションに最適です.アドレスが切り替わっていない場合,自動オフ電源機能は,消費電力を99%削減します.

製品画像
16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT 0 16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT 1 16Mbit SRAMチップメモリデータストレージ CY62167DV30LL-55ZXIT 2
パッケージ情報

標準的な輸出パッケージは利用可能.顧客は,その要求に応じて,紙箱,木製ケース,木製パレットから選択することができます.

よく 聞かれる 質問
価格をどうやって手に入れるの?

通常,問い合わせを受けた24時間以内 (週末や祝日を除く) に報じます.緊急の要請については,直接ご連絡ください.

配達時間は?

配送時間は,注文量と季節によって異なります.小批量通常7-15日以内に出荷され,大批量には約30日かかります.

お支払い条件は?

標準条件: 工場価格で 30%の預金と 70%の残高の支払いをT/Tで出荷前にします.

配送の選択肢は?

海,空,または宅配 (EMS,UPS,DHL,TNT,FEDEX) を提供します.注文する前にあなたの好みの方法を確認してください.

連絡先の詳細
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

コンタクトパーソン: Mr. Sun

電話番号: 18824255380

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