16 Mbit SRAM Chip Memória de armazenamento de dados CY62167DV30LL-55ZXIT

Name: 16 Mbit SRAM Chip Memória de armazenamento de dados CY62167DV30LL-55ZXIT
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: CY62167DV30LL-55ZXIT
Availability: InStock

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16 Mbit SRAM Chip Memória de armazenamento de dados CY62167DV30LL-55ZXIT

16Mbit SRAM Chip Memory Data Storage CY62167DV30LL-55ZXIT

Imagem Grande : 16 Mbit SRAM Chip Memória de armazenamento de dados CY62167DV30LL-55ZXIT

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	TWN
Marca:	Infineon
Certificação:	ROHS
Número do modelo:	CY62167DV30LL-55ZXIT
Documento:	485070C85B65368BE83E53161FF...F7.pdf

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	CONSULT WITH
Detalhes da embalagem:	T/R
Tempo de entrega:	5-8day
Termos de pagamento:	Western Union, T/T
Habilidade da fonte:	10000

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16 Mbit SRAM Chip Memória de armazenamento de dados CY62167DV30LL-55ZXIT

descrição

fabricante::	INFINEON	Categoria de produto::	SRAM
Tamanho da memória::	16 Mbit	Pacote/caso::	TSOP-48
Sensível à umidade::	- Sim, sim.	Série::	CY62167DV30LL
Quantidade do pacote de fábrica::	1000	Subcategoria::	Armazenamento de dados da memória &
Destacar:	Chip SRAM de 16 Mbit , Armazenamento de memória do chip SRAM , CY62167DV30LL-55ZXIT

SRAM 16Mbit RAM estática Memória de acesso aleatório estático COMS de alto desempenho CY62167DV30LL-55ZXIT

Especificações do produto

Fabricante:	Infineon
Categoria do produto:	SRAM
Tamanho da memória:	16 Mbit
Embalagem / Caixa:	TSOP-48
Sensível à humidade:	- Sim, sim.
Série:	CY62167DV30LL
Embalagem de fábrica	1000
Subcategoria:	Memória e armazenamento de dados

Descrição do produto

O CY62167DV30 é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 1M palavras por 16 bits, com design de circuito avançado para consumo de corrente ativa ultra-baixa.

Características fundamentais

Pacote de contorno pequeno fino (TSOP-I) configurável como SRAM de 1 M × 16 ou 2 M × 8
Ampla faixa de tensão: 2,2 V a 3,6 V
Potência ativa ultra-baixa: corrente ativa típica: 2 mA a f = 1 MHz
Potência de espera ultra-baixa
Fácil expansão da memória com recursos CE1, CE2 e OE
Desligação automática quando desmarcada
Semicondutor de óxido metálico complementar (CMOS) para velocidade/potência ótima
Disponível em matriz de grelha de bolas de 48 bolas de pitch muito fino (VFBGA) livre de Pb e não livre de Pb

Este dispositivo é ideal para aplicações portáteis que exigem uma vida útil prolongada da bateria (tecnologia MoBL®).

Imagens do produto

Informações sobre a embalagem

As embalagens de exportação padrão estão disponíveis. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com suas necessidades.

Perguntas Frequentes

Como obter o preço?

Normalmente, fornecemos cotações dentro de 24 horas após o recebimento da sua consulta (excluindo fins de semana e feriados).

Qual é o seu prazo de entrega?

Os prazos de entrega variam de acordo com a quantidade do pedido e a estação.

Quais são os seus termos de pagamento?

Termos normais: Preço de fábrica com depósito de 30% e pagamento do saldo de 70% via T/T antes do envio.

Quais são as suas opções de transporte?

Oferecemos entrega marítima, aérea ou expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

etiqueta:

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: 18824255380

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ROHS: Conformidade

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Armazenamento de memória do chip SRAM

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