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| 供給電圧: | 2.7Vへの3.6V | ブロックの消去: | 64/32 KB |
|---|---|---|---|
| パッケージタイプ: | SOIC | MFR: | ISSI |
| インタフェース: | SPI | 時間を消去: | 1.5ms |
| テクノロジー: | フラッシュ - | インターフェースの種類: | SPI |
| 基本製品番号: | W25Q128 | 全電圧範囲: | 2.7～3.6V |
| ハイライト: | 2M/1M/512Kビット NOR フラッシュメモリ,シングル2.3Vから3.60Vの電源 シリアルフラッシュメモリ,統一256バイトページプログラムSPIフラッシュメモリ |
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P25D22H/12H/07H は、プログラムコードがフラッシュメモリから埋め込みまたは外部 RAM にシャドウされ、実行に使用される、さまざまな大量消費ベースのアプリケーションで使用するために設計されたシリアルインターフェースフラッシュメモリデバイスです。デバイスの柔軟な消去アーキテクチャは、ページ消去の粒度により、データストレージにも最適であり、追加のデータストレージデバイスが不要になります。
デバイスの消去ブロックサイズは、今日のコードおよびデータストレージアプリケーションのニーズを満たすように最適化されています。消去ブロックのサイズを最適化することにより、メモリ空間をはるかに効率的に使用できます。特定のコードモジュールとデータストレージセグメントは、独自の消去領域に存在する必要があるため、大型セクターおよび大型ブロック消去フラッシュメモリデバイスで発生する無駄で未使用のメモリ空間を大幅に削減できます。このメモリ空間の効率の向上により、同じデバイス密度を維持しながら、追加のコードルーチンとデータストレージセグメントを追加できます。さまざまなシステムでの使用に特別に設計されており、デバイスは 2.3V ～ 3.6V の広い電源電圧範囲で読み取り、プログラム、および消去操作をサポートしています。プログラミングと消去に個別の電圧は必要ありません。
| No. | 記号 | 拡張 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 1 | CS# | チップセレクト | |
| 2 | SO | SIO1 | 1 x I/O 用シリアルデータ出力2 x I/O 読み取りモード用シリアルデータ入力および出力 |
| 3 | WP# | - | 書き込み保護アクティブロー |
| 4 | GND | - | デバイスのグランド |
| 5 | SI | SIO0 | 1x I/O 用シリアルデータ入力2 x I/O 読み取りモード用シリアルデータ入力および出力 |
| 6 | SCLK | - | シリアルインターフェースクロック入力 |
| 7 | NC | - | 未接続 |
| 8 | Vcc | - | デバイスの電源 |
標準的な輸出用パッケージが利用可能です。お客様は、要件に応じて、カートン、木製ケース、木製パレットから選択できます。
コンタクトパーソン: Mr. Sun
電話番号: +8618824255380
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