Memoria Flash NOR de ultra baja potencia P25D22H-SSH-IT con interfaz SPI estándar y de E/S dual serial de 2M/1M/512K-bit

• Suministro único de 2,3 V a 3,60 V
• Rango de temperatura industrial de -25 °C a 85 °C
• Interfaz periférica serie (SPI) compatible: Modo 0 y Modo 3
• Modo de E/S simple, doble
  • 2M/1M/512K x 1 bit
  • 1M/512K/256K x 2 bits
• Arquitectura flexible para almacenamiento de código y datos
  • Programación de página uniforme de 256 bytes
  • Borrado de página uniforme de 256 bytes
  • Borrado de sector uniforme de 4K bytes
  • Borrado de bloque uniforme de 32K/64K bytes
  • Borrado completo del chip
• Bloqueo controlado por hardware de sectores protegidos por el pin WP
• ID único de 128 bits para cada dispositivo
• Velocidad de programación y borrado rápida
  • Tiempo de programación de página de 2 ms
  • Tiempo de borrado de página de 12 ms
  • Tiempo de borrado de sector de 4K bytes de 12 ms
  • Tiempo de borrado de bloque de 32K bytes de 12 ms
  • Tiempo de borrado de bloque de 64K bytes de 12 ms
• Metodología de lectura de ID de fabricante y dispositivo estándar JEDEC
• Consumo de energía ultra bajo
  • 0,2 uA Corriente típica de apagado profundo a 3,0 V
  • 9 uA Corriente típica en espera a 3,0 V
  • 0,8 mA Corriente de lectura activa a 33 MHz
  • 2,0 mA Corriente activa de programación o borrado
• Alta fiabilidad
  • 100.000 ciclos de programación/borrado
  • Retención de datos de 10 años
• Opciones de paquete ecológico estándar de la industria
  • SOP de 8 pines (150mil/208mil)/TSSOP/USON
  • KGD para SiP

El P25D22H/12H/07H es un dispositivo de memoria Flash de interfaz serie diseñado para su uso en una amplia variedad de aplicaciones de consumo de alto volumen en las que el código del programa se copia en memoria Flash en RAM integrada o externa para su ejecución. La arquitectura de borrado flexible del dispositivo, con su granularidad de borrado de página, también es ideal para el almacenamiento de datos, lo que elimina la necesidad de dispositivos de almacenamiento de datos adicionales.

Los tamaños de bloque de borrado del dispositivo se han optimizado para satisfacer las necesidades de las aplicaciones actuales de almacenamiento de código y datos. Al optimizar el tamaño de los bloques de borrado, el espacio de memoria se puede utilizar de manera mucho más eficiente. Debido a que ciertos módulos de código y segmentos de almacenamiento de datos deben residir por sí solos en sus propias regiones de borrado, el espacio de memoria desperdiciado y no utilizado que se produce con los dispositivos de memoria Flash de borrado de sector y borrado de bloque grande se puede reducir en gran medida. Esta mayor eficiencia del espacio de memoria permite agregar rutinas de código y segmentos de almacenamiento de datos adicionales mientras se mantiene la misma densidad general del dispositivo. Diseñado específicamente para su uso en muchos sistemas diferentes, el dispositivo admite operaciones de lectura, programación y borrado con un amplio rango de voltaje de suministro de 2,3 V a 3,6 V. No se requiere un voltaje separado para la programación y el borrado.

Embalaje de exportación estándar disponible. Los clientes pueden elegir entre cajas de cartón, cajas de madera y palés de madera según sus requisitos.