P25D22H-SSH-IT Ultra Low Power NOR Flash Memory avec 2M/1M/512K-bit Serial Standard et double interface I/O SPI

• Alimentation unique de 2,3 V à 3,60 V
• Plage de température industrielle de -25 °C à 85 °C
• Interface périphérique série (SPI) compatible : Mode 0 et Mode 3
• Mode E/S unique, double E/S
  • 2M/1M/512K x 1 bit
  • 1M/512K/256K x 2 bits
• Architecture flexible pour le stockage de code et de données
  • Programmation de page uniforme de 256 octets
  • Effacement de page uniforme de 256 octets
  • Effacement de secteur uniforme de 4 Ko
  • Effacement de bloc uniforme de 32 Ko/64 Ko
  • Effacement complet de la puce
• Verrouillage matériel des secteurs protégés par la broche WP
• ID unique de 128 bits pour chaque appareil
• Vitesse de programmation et d'effacement rapide
  • Temps de programmation de page de 2 ms
  • Temps d'effacement de page de 12 ms
  • Temps d'effacement de secteur de 4 Ko de 12 ms
  • Temps d'effacement de bloc de 32 Ko de 12 ms
  • Temps d'effacement de bloc de 64 Ko de 12 ms
• Méthodologie de lecture de l'ID du fabricant et de l'appareil standard JEDEC
• Consommation d'énergie ultra-faible
  • Courant typique de mise hors tension profonde de 0,2 uA à 3,0 V
  • Courant de veille typique de 9 uA à 3,0 V
  • Courant de lecture actif de 0,8 mA à 33 MHz
  • Courant de programmation ou d'effacement actif de 2,0 mA
• Haute fiabilité
  • 100 000 cycles de programmation/effacement
  • Rétention des données de 10 ans
• Options de boîtier écologiques standard de l'industrie
  • SOP à 8 broches (150 mil/208 mil)/TSSOP/USON
  • KGD pour SiP

Le P25D22H/12H/07H est un dispositif de mémoire Flash à interface série conçu pour être utilisé dans une grande variété d'applications grand public à volume élevé dans lesquelles le code de programme est mis en mémoire fantôme à partir de la mémoire Flash dans la RAM intégrée ou externe pour l'exécution. L'architecture d'effacement flexible de l'appareil, avec sa granularité d'effacement de page, est également idéale pour le stockage de données, éliminant ainsi le besoin de dispositifs de stockage de données supplémentaires.

Les tailles de blocs d'effacement de l'appareil ont été optimisées pour répondre aux besoins des applications actuelles de stockage de code et de données. En optimisant la taille des blocs d'effacement, l'espace mémoire peut être utilisé beaucoup plus efficacement. Étant donné que certains modules de code et segments de stockage de données doivent résider seuls dans leurs propres régions d'effacement, l'espace mémoire gaspillé et inutilisé qui se produit avec les dispositifs de mémoire Flash à secteurs et à blocs volumineux peut être considérablement réduit. Cette efficacité accrue de l'espace mémoire permet d'ajouter des routines de code et des segments de stockage de données supplémentaires tout en conservant la même densité globale de l'appareil. Spécialement conçu pour être utilisé dans de nombreux systèmes différents, l'appareil prend en charge les opérations de lecture, de programmation et d'effacement avec une large plage de tension d'alimentation de 2,3 V à 3,6 V. Aucune tension séparée n'est requise pour la programmation et l'effacement.

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois en fonction de leurs besoins.