제품 소개NOR 플래시

P25D22H-SSH-IT 초저전력 NOR 플래시 메모리 2M/1M/512K 비트 시리즈 표준 및 듀얼 I/O SPI 인터페이스

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P25D22H-SSH-IT 초저전력 NOR 플래시 메모리 2M/1M/512K 비트 시리즈 표준 및 듀얼 I/O SPI 인터페이스

P25D22H-SSH-IT Ultra Low Power NOR Flash Memory with 2M/1M/512K-bit Serial Standard and Dual I/O SPI Interface
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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: PUYA
인증: ROHS
모델 번호: P25D22H-SSH-IT
문서: 98D5B9F239F90E2BB3596154B9E...73.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult
포장 세부 사항: 수입 담보 화물 보관증
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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P25D22H-SSH-IT 초저전력 NOR 플래시 메모리 2M/1M/512K 비트 시리즈 표준 및 듀얼 I/O SPI 인터페이스

설명
공급 전압: 2.7V 내지 3.6V 블럭 소거: 64/32 킬로바
패키지 유형: SOIC Mfr: ISSI
인터페이스: SPI 시간을 지우십시오: 1.5ms
기술: 플래시 - NO 인터페이스 유형: SPI
기본 제품 번호: W25Q128 전체 전압 범위: 2.7 ~ 3.6V
강조하다:

2M/1M/512K 비트 또는 플래시 메모리

,

단일 2.3V에서 3.60V 공급 장치 시리즈 플래시 메모리

,

유니폼 256 바이트 페이지 프로그램 SPI 플래시 메모리

P25D22H-SSH-IT 초저전력 2M/1M/512K-비트 시리즈 표준 및 듀얼 I/O 플래시 메모리 칩
1 개요
일반
  • 단일 2.3V ~ 3.60V 공급
  • 산업용 온도 범위 -25C ~ 85C
  • 연쇄 주변 인터페이스 (SPI) 호환: 모드 0 및 모드 3
  • 단일, 듀얼 IO 모드
    • 2M/1M/512K x 1비트
    • 1M/512K/256K x 2비트
  • 코드 및 데이터 저장용 유연한 아키텍처
    • 유니폼 256 바이트 페이지 프로그램
    • 통일 256 바이트 페이지 삭제
    • 유니폼 4K 바이트 섹터 지워
    • 유니폼 32K/64K 바이트 블록 삭제
    • 전체 칩 삭제
  • WP 핀으로 보호 섹터의 하드웨어 제어 잠금
  • 각 장치에 대한 128비트 고유 ID
  • 빠른 프로그램 및 삭제 속도
    • 2ms 페이지 프로그램 시간
    • 12ms 페이지 삭제 시간
    • 12ms 4K 바이트 섹터 삭제 시간
    • 12ms 32K 바이트 블록 삭제 시간
    • 12ms 64K 바이트 블록 삭제 시간
  • JEDEC 표준 제조자 및 장치 ID 읽기 방법론
  • 초저전력 소비
    • 0.2uA 전형적인 딥 파워 다운 전류 @3.0V
    • 9uA 전형적인 대기 전류 @3.0V
    • 0.8mA 액티브 레딩 전류 33MHz
    • 2.0mA 액티브 프로그램 또는 삭제 전류
  • 높은 신뢰성
    • 100,000 프로그램 / 지우기 사이클
    • 10년 데이터 보존
  • 산업 표준 녹색 패키지 옵션
    • 8핀 SOP (150mil/208mil) /TSSOP/USON
    • SiP에 대한 KGD
2 설명

The P25D22H/12H/07H is a serial interface Flash memory device designed for use in a wide variety of highvolume consumer based applications in which program code is shadowed from Flash memory into embeddedor external RAM for execution이 장치의 유연한 지우기 아키텍처는 페이지 지우기 곡성성으로 추가 데이터 저장 장치의 필요성을 제거하여 데이터 저장용으로도 이상적입니다.

디바이스의 삭제 블록 크기는 오늘날의 코드 및 데이터 저장 애플리케이션의 요구를 충족시키기 위해 최적화되었습니다.메모리 공간은 훨씬 더 효율적으로 사용할 수 있습니다특정 코드 모듈과 데이터 저장 부문은 그들만의 지우기 영역에 있어야 하기 때문에,큰 부문 및 큰 블록 지워 플래시메모리 장치에서 발생하는 낭비 및 사용되지 않은 메모리 공간이 크게 줄일 수 있습니다이 증가 된 메모리 공간 효율은 동일한 전체 장치 밀도를 유지하면서 추가 코드 루틴과 데이터 저장 세그먼트를 추가 할 수 있습니다.여러 시스템에서 사용하도록 특별히 설계되었습니다.이 장치는 2.3V에서 3.6V의 광범위한 공급 전압 범위에서 읽기, 프로그램 및 지우기 작업을 지원합니다. 프로그래밍 및 지우기 위해 별도의 전압이 필요하지 않습니다.

피노우트 세부 정보
- 아니 기호 연장 언급
1 CS# 칩 선택
2 SO SIO1 1 x I/OS에 대한 일련 데이터 출력 2 x I/O 읽기 모드에 대한 일련 데이터 입력 및 출력
3 WP# - 적기 보호 활성 낮은
4 GND - 장치의 토지
5 SI SIO0 1x I/OS에 대한 일련 데이터 입력 2x I/O 읽기 모드에 대한 일련 데이터 입력 및 출력
6 SCLK - 일련 인터페이스 클럭 입력
7 NC - 연결되지 않습니다
8 Vcc - 장치의 전원 공급 장치
포장 및 운송

표준 수출 패키지 사용 가능. 고객은 필요에 따라 카튼, 목재 케이스 및 목재 팔렛을 선택할 수 있습니다.

자주 묻는 질문
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전체 평점

5.0
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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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