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STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

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STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching
STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

Imagem Grande :  STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: ST
Certificação: rohs
Número do modelo: STGW80V60DF
Documento: A3CEF94ED1643C127349BA958D4...5B.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: consult with
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 dias
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental
Habilidade da fonte: 100.000
Contato Converse agora

STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

descrição
Fabricante: STMicroelectrónica Categoria de produto:: IGBTs
Configuração:: solteiro Tensão do coletor-emissor VCEO Max:: 600 v
Tensão de saturação do Coletor-emissor:: 1,85 V Voltagem máxima do emissor da porta:: - 20 V, 20 V
Destacar:

600V IGBT

,

80A Power Transistor

,

Trench Gate IGBT

STGW80V60DF IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
Features
  • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
  • Tail-less switching off
  • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A
  • Tight parameters distribution
  • Safe paralleling
  • Low thermal resistance
  • Very fast soft recovery antiparallel diode
Applications
  • Photovoltaic inverters
  • Uninterruptible power supply
  • Welding
  • Power factor correction
  • Very high frequency converters
Order code Marking Package Packaging
Order code Marking Package Packaging
STGW80V60DF GW80V60DF TO-247 Tube
STGWT80V60DF GWT80V60DF TO-3P Tube
STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 0STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 1STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 2
Packaging & Shipping

Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.

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