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STGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta Velocidad

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STGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta Velocidad

STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching
STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

Ampliación de imagen :  STGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta Velocidad

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: ST
Certificación: rohs
Número de modelo: STGW80V60DF
Documento: A3CEF94ED1643C127349BA958D4...5B.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

STGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta Velocidad

descripción
Fabricante: STMicroelectrónica Categoría de producto:: IGBTs
Configuración:: soltero Voltaje colector-emisor VCEO máx.:: 600 voltios
Voltaje de saturación del Colector-emisor:: 1,85 V Voltagem máxima del emisor de la puerta:: - 20V, 20V
Resaltar:

igbt 600v

,

Transistor de Potencia de 80A

,

IGBT de Compuerta Trench

IGBTs STGW80V60DF Serie V de puerta Trench 600V 80A HiSpd
Características
  • Temperatura máxima de la unión: TJ = 175 °C
  • Conmutación de apagado sin cola
  • VCE(sat) = 1,85 V (típ.) @ IC = 80 A
  • Distribución ajustada de parámetros
  • Paralelismo seguro
  • Baja resistencia térmica
  • Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
Aplicaciones
  • Inversores fotovoltaicos
  • Suministro de energía ininterrumpida
  • Soldadura
  • Corrección del factor de potencia
  • Convertidores de muy alta frecuencia
Código de pedido Marcado Paquete Embalaje
Código de pedido Marcado Paquete Embalaje
STGW80V60DF GW80V60DF TO-247 Tubo
STGWT80V60DF GWT80V60DF TO-3P Tubo
STGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta VelocidadSTGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta VelocidadSTGW80V60DF Transistor de Potencia IGBT de Compuerta Trench de 600V y 80A para Conmutación de Alta Velocidad
Embalaje y envío

Embalaje estándar de exportación disponible. Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y paletas de madera según sus requisitos.

Preguntas frecuentes
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Normalmente proporcionamos cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excluyendo fines de semana y días festivos). Para solicitudes de precios urgentes, contáctenos directamente.
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Los lotes pequeños suelen enviarse en un plazo de 7 a 15 días, mientras que los pedidos de lotes grandes pueden requerir aproximadamente 30 días, dependiendo de la cantidad del pedido y la temporada.
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Precios de fábrica con depósito del 30% y pago del saldo del 70% por T/T antes del envío.
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etiqueta:

Chip convertidor digital,

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Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: +8618824255380

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