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STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

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STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching
STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

Grande immagine :  STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: ST
Certificazione: rohs
Numero di modello: STGW80V60DF
Documento: A3CEF94ED1643C127349BA958D4...5B.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching

descrizione
Produttore: STMicroelettronica Categoria di prodotto:: IGBTs
Configurazione:: separare Tensione collettore-emettitore VCEO max:: 600 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:: 1,85 V Tensione massima dell'emettitore della porta:: - 20 V, 20 V
Evidenziare:

600V IGBT

,

80A Power Transistor

,

Trench Gate IGBT

STGW80V60DF IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
Features
  • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
  • Tail-less switching off
  • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 80 A
  • Tight parameters distribution
  • Safe paralleling
  • Low thermal resistance
  • Very fast soft recovery antiparallel diode
Applications
  • Photovoltaic inverters
  • Uninterruptible power supply
  • Welding
  • Power factor correction
  • Very high frequency converters
Order code Marking Package Packaging
Order code Marking Package Packaging
STGW80V60DF GW80V60DF TO-247 Tube
STGWT80V60DF GWT80V60DF TO-3P Tube
STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 0STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 1STGW80V60DF 600V 80A Trench Gate IGBT Power Transistor for High-Speed Switching 2
Packaging & Shipping

Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.

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Prodotto Tag:

Chip Convertitore Digitale,

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Mr. Sun

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