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AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V

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AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V

AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V
AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V

Ampliación de imagen :  AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: MICROCHIP
Certificación: rohs
Número de modelo: AT24C08C-SSHM-T
Documento: C31422_4DD9E0195B8FA1A8955C...C7.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto Ahora Charle

AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V

descripción
Sensible a la humedad:: Sí Voltaje de suministro operativo:: 1,8 V a 5,5 V
Tipo de producto:: Eeprom Subcategoría:: Almacenamiento de la memoria y de datos
Corriente de suministro - Máx.:: 3mA Peso unitario:: 0,019048 onzas
Resaltar:

AT24C08C EEPROM 8K NiPdAu

,

2-wire EEPROM chip 1.7V

,

1024x8 EEPROM with warranty

AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V
AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V
Key Features
  • Low-Voltage Operation: VCC = 1.7V to 5.5V
  • Memory Organization: Internally organized as 1,024 x 8 (8K)
  • Temperature Range: Industrial grade -40°C to +85°C
  • I2C-Compatible Serial Interface:
    • 100 kHz Standard mode, 1.7V to 5.5V
    • 400 kHz Fast mode, 1.7V to 5.5V
    • 1 MHz Fast Mode Plus (FM+), 2.5V to 5.5V
  • Schmitt triggers and filtered inputs for noise suppression
  • Bidirectional data transfer protocol
  • Write-protect pin for full array hardware data protection
  • Ultra low power consumption: 3 mA active current maximum, 6 μA standby current maximum
  • 16-byte page write mode with partial page writes allowed
  • Random and sequential read modes
  • Self-timed write cycle within 5 ms maximum
  • ESD protection > 4,000V
  • High Reliability:
    • Endurance: 1,000,000 write cycles
    • Data retention: 100 years
  • Green package options (lead-free/halide-free/RoHS compliant)
  • Die sale options: wafer form and tape and reel available
Reliability Specifications
Operation Test Condition Min. Max. Units
Write Endurance TA = 25°C, VCC = 3.3V, Page Write mode 1,000,000 -- Write Cycles
Data Retention TA = 55°C 100 -- Years
AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V 0 AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V 1 AT24C08C-SSHM-T EEPROM 8K (1024x8) 2-WIRE NiPdAu 1.7V 2

etiqueta:

eeprom ic,

chip de memoria EEPROM,

Chips de memoria de Eeprom

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