Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
Các sản phẩm được khuyến cáo
ML2430 3V Sạc lại Lithium Ion không dây nút pin không dây cho bo mạch chủ

ML2430 3V Sạc lại Lithium Ion không dây nút pin không dây cho bo mạch chủ

INR21700/50E 5000Mah 3.7v Lithium Ion pin sạc cho các mô hình máy bay

INR21700/50E 5000Mah 3.7v Lithium Ion pin sạc cho các mô hình máy bay

CR123A 3V Lithium Manganese Dioxide Battery with 1.4AH Capacity, High Current Pulse Discharge, and Wide Operating Temperature Range (-40°C to +70°C)

CR123A 3V Lithium Manganese Dioxide Battery with 1.4AH Capacity, High Current Pulse Discharge, and Wide Operating Temperature Range (-40°C to +70°C)

Pin Lithium-ion ML1220 Pin Lithium-ion cho bo mạch chủ máy tính xách tay

Pin Lithium-ion ML1220 Pin Lithium-ion cho bo mạch chủ máy tính xách tay

TPD1E05U06DPYR Đèn bảo vệ xả điện tĩnh (ESD) dựa trên các bộ ức chế điện áp thoáng chuyển đơn hướng (TVS)

TPD1E05U06DPYR Đèn bảo vệ xả điện tĩnh (ESD) dựa trên các bộ ức chế điện áp thoáng chuyển đơn hướng (TVS)

TPD1E10B09DPYR Diode triệt tiêu quá áp ESD một kênh trong gói 0402 nhỏ

TPD1E10B09DPYR Diode triệt tiêu quá áp ESD một kênh trong gói 0402 nhỏ

Diode triệt tiêu quá áp SMAJ5.0CA được thiết kế đặc biệt để bảo vệ thiết bị điện tử nhạy cảm khỏi các xung điện áp gây ra bởi sét và các sự kiện điện áp quá độ khác.

Diode triệt tiêu quá áp SMAJ5.0CA được thiết kế đặc biệt để bảo vệ thiết bị điện tử nhạy cảm khỏi các xung điện áp gây ra bởi sét và các sự kiện điện áp quá độ khác.

SMS05CT1G ESD bảo vệ Diode hàng 5 đường được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng bảo vệ điện áp thoáng qua

SMS05CT1G ESD bảo vệ Diode hàng 5 đường được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng bảo vệ điện áp thoáng qua

CESD5V0D5 Diode bảo vệ ESD một chiều Được thiết kế để bảo vệ các linh kiện điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các quá độ khác

CESD5V0D5 Diode bảo vệ ESD một chiều Được thiết kế để bảo vệ các linh kiện điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các quá độ khác

CESD3V3D5 Diode Bảo Vệ ESD Một Chiều Được Thiết Kế Để Bảo Vệ Các Linh Kiện Điện Tử Nhạy Cảm Với Điện Áp Khỏi ESD Và Các Tăng Áp Khác

CESD3V3D5 Diode Bảo Vệ ESD Một Chiều Được Thiết Kế Để Bảo Vệ Các Linh Kiện Điện Tử Nhạy Cảm Với Điện Áp Khỏi ESD Và Các Tăng Áp Khác

CESD5V0AP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng Được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD5V0AP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng Được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD12VAP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD12VAP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD3V3AP 2-Line TVS đơn hướng Diode 210W công suất xung đỉnh ((8/20μs)

CESD3V3AP 2-Line TVS đơn hướng Diode 210W công suất xung đỉnh ((8/20μs)

CESD12VAP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD12VAP Đèn bảo vệ ESD đơn hướng được thiết kế để bảo vệ các thành phần điện tử nhạy cảm với điện áp khỏi ESD và các yếu tố chuyển tiếp khác

CESD5V0AP 2 đường TVS đơn hướng Diode 210W Lượng xung đỉnh ((8/20us) 15A@8/20us 3.3V Vrwm

CESD5V0AP 2 đường TVS đơn hướng Diode 210W Lượng xung đỉnh ((8/20us) 15A@8/20us 3.3V Vrwm

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 SDRAM ô tô 1.6GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 SDRAM ô tô 1.6GHz 1.14V~1.26V

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Đơn vị hạng DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Đơn vị hạng DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V