Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
สินค้าที่แนะนํา
ML2430 แบตเตอรี่ปุ่มไร้สาย Lithium Ion 3V ที่สามารถชาร์จใหม่ได้

ML2430 แบตเตอรี่ปุ่มไร้สาย Lithium Ion 3V ที่สามารถชาร์จใหม่ได้

INR21700/50E 5000mAh 3.7V แบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบชาร์จไฟได้สำหรับรุ่นเครื่องบิน

INR21700/50E 5000mAh 3.7V แบตเตอรี่ลิเธียมไอออนแบบชาร์จไฟได้สำหรับรุ่นเครื่องบิน

CR123A 3V Lithium Manganese Dioxide Battery with 1.4AH Capacity, High Current Pulse Discharge, and Wide Operating Temperature Range (-40°C to +70°C)

CR123A 3V Lithium Manganese Dioxide Battery with 1.4AH Capacity, High Current Pulse Discharge, and Wide Operating Temperature Range (-40°C to +70°C)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน ML1220 เซลล์กระดุมลิเธียมไอออน สำหรับเมนบอร์ดโน้ตบุ๊ก

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน ML1220 เซลล์กระดุมลิเธียมไอออน สำหรับเมนบอร์ดโน้ตบุ๊ก

TPD1E05U06DPYR ไดโอเดสป้องกันการออกอัดไฟฟ้าสแตตติก (ESD) โดยใช้เครื่องยับยั้งความกระชับเฉพาะทาง (TVS)

TPD1E05U06DPYR ไดโอเดสป้องกันการออกอัดไฟฟ้าสแตตติก (ESD) โดยใช้เครื่องยับยั้งความกระชับเฉพาะทาง (TVS)

TPD1E10B09DPYR ไดโอดตัวต้านทานแรงดันไฟฟ้าชั่วขณะ ESD แบบช่องสัญญาณเดียว ในแพ็คเกจขนาดเล็ก 0402

TPD1E10B09DPYR ไดโอดตัวต้านทานแรงดันไฟฟ้าชั่วขณะ ESD แบบช่องสัญญาณเดียว ในแพ็คเกจขนาดเล็ก 0402

ไดโอดระงับแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว SMAJ5.0CA ออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ละเอียดอ่อนจากแรงดันไฟฟ้าชั่วคราวที่เกิดจากฟ้าผ่าและเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าชั่วคราวอื่นๆ

ไดโอดระงับแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว SMAJ5.0CA ออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ละเอียดอ่อนจากแรงดันไฟฟ้าชั่วคราวที่เกิดจากฟ้าผ่าและเหตุการณ์แรงดันไฟฟ้าชั่วคราวอื่นๆ

SMS05CT1G ESD Protection Diode Array 5-Line ออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่ต้องการความสามารถในการป้องกันแรงดันระยะสั้น

SMS05CT1G ESD Protection Diode Array 5-Line ออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่ต้องการความสามารถในการป้องกันแรงดันระยะสั้น

CESD5V0D5 ไดโอ้ดป้องกัน ESD ในทิศทางเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงกระหน่ําจาก ESD และสิ่งแวดล้อมอื่น ๆ

CESD5V0D5 ไดโอ้ดป้องกัน ESD ในทิศทางเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงกระหน่ําจาก ESD และสิ่งแวดล้อมอื่น ๆ

CESD3V3D5 ไดโอดป้องกัน ESD ทิศทางเดียว ออกแบบมาเพื่อป้องกันอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ไวต่อแรงดันไฟฟ้าจาก ESD และการเปลี่ยนแปลงอื่นๆ

CESD3V3D5 ไดโอดป้องกัน ESD ทิศทางเดียว ออกแบบมาเพื่อป้องกันอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ไวต่อแรงดันไฟฟ้าจาก ESD และการเปลี่ยนแปลงอื่นๆ

CESD5V0AP ไดโอ้ดป้องกัน ESD ในทิศทางเดียว ออกแบบมาเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงกระตุ้นจาก ESD และสิ่งแวดล้อมอื่น ๆ

CESD5V0AP ไดโอ้ดป้องกัน ESD ในทิศทางเดียว ออกแบบมาเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงกระตุ้นจาก ESD และสิ่งแวดล้อมอื่น ๆ

CESD12VAP ไดโอ้ดป้องกัน ESD แบบเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงดันจาก ESD และสิ่งแปรเปลี่ยนอื่น ๆ

CESD12VAP ไดโอ้ดป้องกัน ESD แบบเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงดันจาก ESD และสิ่งแปรเปลี่ยนอื่น ๆ

CESD3V3AP 2 เส้น TVS แบบเดียว ดิโอเดส 210W พลังงานกระแทกสูงสุด ((8/20μs)

CESD3V3AP 2 เส้น TVS แบบเดียว ดิโอเดส 210W พลังงานกระแทกสูงสุด ((8/20μs)

CESD12VAP ไดโอ้ดป้องกัน ESD แบบเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงดันจาก ESD และสิ่งแปรเปลี่ยนอื่น ๆ

CESD12VAP ไดโอ้ดป้องกัน ESD แบบเดียวที่ออกแบบเพื่อป้องกันองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึกต่อแรงดันจาก ESD และสิ่งแปรเปลี่ยนอื่น ๆ

ไดโอด TVS แบบทิศทางเดียว CESD5V0AP 2 บรรทัด กำลังไฟพัลส์สูงสุด 210W (8/20us) 15A@8/20us 3.3V Vrwm

ไดโอด TVS แบบทิศทางเดียว CESD5V0AP 2 บรรทัด กำลังไฟพัลส์สูงสุด 210W (8/20us) 15A@8/20us 3.3V Vrwm

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G บิต DDR2 SDRAM การโอนข้อมูลสองครั้งต่อวาระ

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 รถยนต์ DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V ~ 1.26V

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 รถยนต์ DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V ~ 1.26V

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V