DRV8305NPHPR ตัวควบคุมและไดรเวอร์มอเตอร์ / การเคลื่อนไหว / การจุดระเบิด ตัวขับเกต 3 เฟส Sma Rt สูงสุด 45V

ตัวขับเกตอัจฉริยะ 3 เฟส สูงสุด 45-V สำหรับแอปพลิเคชันควบคุมมอเตอร์ พร้อมแอมพลิฟายเออร์กระแสไฟฟ้าแบบชดเชยและคุณสมบัติด้านการป้องกัน

• แรงดันไฟฟ้าทำงาน 4.4-V ถึง 45-V
• กระแสขับเกตสูงสุด 1.25-A และ 1-A
• การควบคุมอัตราการเปลี่ยนแปลง (Slew-Rate) ด้านสูงและด้านต่ำที่ตั้งโปรแกรมได้
• ตัวขับเกตแบบปั๊มประจุ (Charge-Pump) สำหรับรอบการทำงาน 100%
• แอมพลิฟายเออร์กระแสไฟฟ้าแบบชดเชยในตัว 3 ตัว
• LDO ในตัว 50-mA (ตัวเลือก 3.3-V และ 5-V)
• การควบคุมอินพุต 3-PWM หรือ 6-PWM สูงสุด 200 kHz
• ความสามารถในการสลับโหมด PWM เดี่ยว
• รองรับอินเทอร์เฟซดิจิทัลทั้ง 3.3-V และ 5-V
• อินเทอร์เฟซอุปกรณ์ต่อพ่วงแบบอนุกรม (SPI) สำหรับการตั้งค่าอุปกรณ์และการรายงานข้อผิดพลาด
• แพ็คเกจ HTQFP 48 ขา ที่มีการระบายความร้อนดีเยี่ยม

• การวินิจฉัยข้อผิดพลาดและตัวตรวจสอบ MCU (Watchdog)
• การควบคุมเวลาหน่วง (Dead-Time) ที่ตั้งโปรแกรมได้
• การป้องกัน MOSFET การลัดวงจร (Shoot-Through)
• ตัวตรวจสอบกระแสเกิน VDS ของ MOSFET
• การตรวจจับข้อผิดพลาดของตัวขับเกต
• รองรับการป้องกันแบตเตอรี่กลับขั้ว
• รองรับโหมด Limp Home
• คำเตือนและปิดระบบเมื่ออุณหภูมิสูงเกิน

• มอเตอร์ BLDC และ PMSM แบบ 3 เฟส
• CPAP และปั๊ม
• หุ่นยนต์และของเล่น RC
• เครื่องมือไฟฟ้า
• ระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรม

อุปกรณ์ DRV8305 เป็น IC ตัวขับเกตสำหรับแอปพลิเคชันขับมอเตอร์แบบ 3 เฟส อุปกรณ์นี้มีตัวขับฮาล์ฟบริดจ์ความแม่นยำสูง 3 ตัวที่ชดเชยอุณหภูมิ แต่ละตัวสามารถขับ MOSFET แบบ N-channel ด้านสูงและด้านต่ำได้ ตัวขับปั๊มประจุรองรับรอบการทำงาน 100% และการทำงานที่แรงดันต่ำ อุปกรณ์สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้า Load Dump ได้สูงสุด 45-V

อุปกรณ์ DRV8305 ประกอบด้วยแอมพลิฟายเออร์กระแสไฟฟ้าแบบชดเชยแบบสองทิศทาง 3 ตัวสำหรับการวัดกระแสที่ด้านต่ำอย่างแม่นยำ ซึ่งรองรับการตั้งค่าอัตราขยายที่แปรผันและแหล่งอ้างอิงออฟเซ็ตที่ปรับได้

อุปกรณ์ DRV8305 มีตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าในตัว (3.3-V หรือ 5-V) เพื่อรองรับความต้องการพลังงานของ MCU หรือระบบอื่นๆ ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าสามารถเชื่อมต่อโดยตรงกับอินเทอร์เฟซทางกายภาพ LIN มาตรฐาน เพื่อให้ได้กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายและสลีปของระบบที่ต่ำ

ตัวขับเกตใช้การจับคู่แบบอัตโนมัติเมื่อสลับเพื่อป้องกันกระแสไฟฟ้าลัดวงจร VDS ของ MOSFET ทั้งด้านสูงและด้านต่ำจะถูกตรวจจับอย่างแม่นยำเพื่อป้องกัน MOSFET ภายนอกจากสภาวะกระแสเกิน SPI ให้การรายงานข้อผิดพลาดโดยละเอียด การวินิจฉัย และการกำหนดค่าอุปกรณ์ เช่น ตัวเลือกอัตราขยายสำหรับแอมพลิฟายเออร์กระแสไฟฟ้าแบบชดเชย การตรวจจับกระแสเกินของ MOSFET แต่ละตัว และการควบคุมอัตราการเปลี่ยนแปลงของไดรฟ์เกต

• DRV8305N: แหล่งอ้างอิงแรงดันไฟฟ้า
• DRV83053: LDO 3.3-V, 50-mA
• DRV83055: LDO 5-V, 50-mA

มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกได้จากกล่องกระดาษ กล่องไม้ และพาเลทไม้ตามความต้องการ