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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT Mémoire Flash Série Multi-E/S 1Gb 3V Flash NOR

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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT Mémoire Flash Série Multi-E/S 1Gb 3V Flash NOR

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 1Gb 3V Multi-I/O Serial Flash Memory NOR Flash
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Image Grand :  MT25QL01GBBB8ESF-0SIT Mémoire Flash Série Multi-E/S 1Gb 3V Flash NOR

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
Documents: E744F4748479A8ACFF2D1CA594B...1F.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT Mémoire Flash Série Multi-E/S 1Gb 3V Flash NOR

description de
Température de fonctionnement: -40 ℃ ~ + 85 ℃ Tension de fonctionnement: 2.7V~3.6V
Type d'interface: IPS Capacité de stockage: 1Gbit
Fréquence du signal d'horloge (fc): 133MHz Temps d'écriture de la page (Tpp): temps (Tpp)
Mettre en évidence:

Mémoire Flash NOR 1Gb 3V

,

Mémoire Flash Série Multi-I/O

,

Mémoire Flash NOR MT25QL01GBBB8ESF

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT Mémoire Flash série Multi-I/O 1Gb 3V Flash NOR
Caractéristiques
  • Appareil empilé (deux puces de 512Mb)
  • Interface de bus série compatible SPI
  • Transfert simple et double (STR/DTR)
  • Fréquence d'horloge– 133 MHz (MAX) pour tous les protocoles en STR– 90 MHz (MAX) pour tous les protocoles en DTR
  • Commandes d'E/S doubles/quad pour un débit accru jusqu'à 90 Mo/s
  • Protocoles pris en charge : E/S étendues, doubles et quadruples, STR et DTR
  • Exécution en place (XIP)
  • Opérations PROGRAM/ERASE SUSPEND
  • Paramètres de configuration volatils et non volatils
  • Réinitialisation logicielle
  • Broche de réinitialisation supplémentaire pour certains numéros de pièce
  • Modes d'adressage 3 octets et 4 octets – permet l'accès à la mémoire au-delà de 128 Mb
  • Zone OTP dédiée de 64 octets en dehors de la mémoire principale – Lisible et verrouillable par l'utilisateur
  • Capacité d'effacement– Effacement de puce– Effacement de secteur, granularité uniforme de 64 Ko– Effacement de sous-secteur, granularité de 4 Ko, 32 Ko
  • Performances d'effacement : 400 Ko/sec (secteur de 64 Ko)
  • Performances d'effacement : 80 Ko/sec (sous-secteur de 4 Ko)
  • Performances de programmation : 2 Mo/sec
  • Sécurité et protection en écriture– Verrouillage volatil et non volatil et protection logicielle en écriture pour chaque secteur de 64 Ko– Verrouillage de configuration non volatile– Protection par mot de passe– Protection matérielle en écriture : les bits non volatils (BP[3:0] et TB) définissent la taille de la zone protégée– Protection programme/effacement pendant la mise sous tension– CRC détecte les modifications accidentelles des données brutes
  • Signature électronique– Signature standard JEDEC de 3 octets (BA21h)– ID de périphérique étendu : deux octets supplémentaires identifient les options d'usine du périphérique
  • Conforme à JESD47H– Minimum 100 000 cycles d'EFFACEMENT par secteur– Rétention des données : 20 ans (TYP)
Marquage des options
  • Tension– 2,7–3,6 V L
  • Densité– 1 Gb 01G
  • Empilement de périphériques– 2 puces empilées B
  • Génération de périphérique B
  • Révision de puce B
  • Configuration des broches– HOLD# 1– RESET et HOLD# 8
  • Taille du secteur– 64 Ko E
  • Boîtiers – Standard JEDEC, conforme RoHS– T-PBGA 24 billes 05/6 mm x 8 mm (TBGA24)12– SOP2 16 broches, 300 mils (SO16W, SO16-Wide, SOIC-16)SF– W-PDFN-8 8 mm x 6 mm (MLP8 8 mm x 6 mm)W9
  • Fonctionnalités de sécurité– Sécurité standard 0
  • Options spéciales– Standard S– Automobile A
  • Plage de température de fonctionnement– De –40°C à +85°C IT– De –40°C à +105°C AT– De –40°C à +125°C UT
Bit Nom Paramètres Description Notes
Bit Nom Paramètres Description Notes
7 Activation/désactivation de l'écriture du registre d'état 0 = Activé (Par défaut)
1 = Désactivé
Bit de contrôle non volatile : Utilisé avec W# pour activer ou désactiver l'écriture dans le registre d'état.
5 Haut/bas 0 = Haut (Par défaut)
1 = Bas
Bit de contrôle non volatile : Détermine si la zone mémoire protégée définie par les bits de protection de bloc commence par le haut ou par le bas du réseau mémoire.
6, 4:2 BP[3:0] Voir les tableaux de zone protégée Bit de contrôle non volatile : Définit la mémoire à protéger par logiciel contre les opérations PROGRAM ou ERASE. Lorsqu'un ou plusieurs bits de protection de bloc sont définis sur 1, une zone mémoire désignée est protégée contre les opérations PROGRAM et ERASE.
11 Verrouillage d'activation d'écriture 0 = Effacé (Par défaut)
1 = Défini
Bit de contrôle volatil : L'appareil s'allume toujours avec ce bit effacé pour éviter les opérations d'écriture, de programme ou d'effacement involontaires. Pour activer ces opérations, l'opération d'activation d'écriture doit être exécutée en premier pour définir ce bit.
0 Écriture en cours 0 = Prêt
1 = Occupé
Bit d'état : Indique si l'un des cycles de commande suivants est en cours : ÉCRITURE DU REGISTRE D'ÉTAT ÉCRITURE DU REGISTRE DE CONFIGURATION NON VOLATILE PROGRAMMATION EFFACEMENT2
Emballage et expédition

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois selon leurs besoins.

Questions fréquemment posées

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Notation globale

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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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