1Gb SPI NAND แฟลชเมมรี่ 3V 104MHz WSON-8 MX35LF1GE4AB-Z4I

• 1Gb SLC NAND Flash
  • รถบัส: x4
  • ขนาดหน้า: (2048+64) ไบท์
  • ขนาดบล็อก: (128K+4K) ไบท์
• การเข้าถึงการอ่านอย่างรวดเร็ว
  • รองรับข้อมูลสุ่มอ่านออกโดย x1 x2 & x4 รูปแบบ, (1-1-1,1-1-2, 1-1-4)
  • ความช้าในการจดทะเบียน: 25us
  • ความถี่: 104MHz
• การทํางานของโปรแกรมหน้า
  • ระยะเวลาโปรแกรมหน้า: 300us (ทั่วไป)
• ปฏิบัติการลบบล็อก
  • เวลาลบบล็อค: 1 ms (โดยทั่วไป)
• การทํางานระดับความดันเดียว:
  • VCC: 2.7 ถึง 3.6V
• บิต BP สําหรับการป้องกันกลุ่มบล็อก
• การระบายพลังงานต่ํา
  • สูงสุด 30mA กระแสกําลัง (อ่าน/โปรแกรม/ลบ)
• โหมดนอน
  • 50uA (Max) กระแสรอคอย
• ความน่าเชื่อถือสูง
  • โปรแกรม / ลบความทนทาน: แบบ 100K วงจร ((กับภายใน 4 บิต ECC ต่อ (512+16) ไบท์
  • การเก็บข้อมูล: 10 ปี
• ระยะอุณหภูมิการทํางานที่กว้าง - 40 °C ถึง + 85 °C
• แพ็คเกจ: 8-WSON (8x6mm)
• อุปกรณ์ที่บรรจุไว้ทั้งหมดเป็น RoHS Compliant และไม่มีฮาโลเจน

หมายเหตุ 1. กรุณาดูรายละเอียด tRD_ECC และ tPROG_ECC หากฟังก์ชัน ECC ภายในเปิด

หมายเหตุ 2 ซึ่งแสดงจํานวน I/O สําหรับคําสั่ง, ที่อยู่ และข้อมูล

MX35LF1GE4AB เป็นอุปกรณ์ความจํา SLC NAND Flash ขนาด 1 Gb พร้อมอินเตอร์เฟซซีเรียลอย่างไรก็ตามการนํามาใช้ระบบอินเตอร์เฟซแบบเรียงลําดับมาตรฐานของอุตสาหกรรม. โลจิก ECC 4 บิตภายในถูกนําไปใช้ในชิป ซึ่งเปิดให้ใช้โดยซ่อนข้างได้ โลจิก ECC ภายในสามารถปิดหรือเปิดให้ใช้อีกครั้งด้วยคําสั่ง เมื่อโลจิก ECC 4 บิตภายในถูกปิดด้านเจ้าภาพต้องจัดการกับ ECC 4 บิต โดยเครื่องควบคุมขนาดเล็กเจ้าภาพ.

มีการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ตามความต้องการของพวกเขา