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NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications

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NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications

NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications
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Image Grand :  NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: onsemi
Certification: rohs
Numéro de modèle: NJVMJD31CT4G
Documents: C464216_00766E141AF7E230D75...69.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
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NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications

description de
Style de montage :: CMS/CMS Colis/Caisse :: DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité des transistors :: NPN Tension collecteur-émetteur VCEO Max :: 100 V
Tension de base de l'émetteur VEBO :: 5 V Pd - Dissipation de puissance :: 15 W
Mettre en évidence:

100 V Bipolar Transistor

,

3.0 A BJT

,

SMD/SMT NPN Power Transistor

NJVMJD31CT4G Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Features

  • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
  • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1" Suffix)
  • Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4" Suffix)
  • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
  • Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in
  • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Rating Symbol Max Unit

Rating Symbol MJD31, MJD32 MJD31C, MJD32C Max Unit
Collector−Emitter Voltage VCEO 40 100 Vdc
Collector−Base Voltage VCB 40 100 Vdc
Emitter−Base Voltage VEB 5.0 Vdc
Collector Current − Continuous IC 3.0 Adc
Collector Current − Peak ICM 5.0 Adc
Base Current IB 1.0 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C PD 15 W
Derate above 25°C 0.12 W/°C
Total Power Dissipation @ TA = 25°C PD 1.56 W
Derate above 25°C 0.012 W/°C
Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg −65 to +150 °C
ESD − Human Body Model HBM 3B V
ESD − Machine Model MM C V
NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications 0 NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications 1 NJVMJD31CT4G 100 V 3.0 A NPN Power Transistor with SMD/SMT Mounting for Automotive Applications 2

Packaging & Shipping

Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.

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Produit Tag:

Contrôleur logique programmable,

Dispositifs logiques programmables,

matrice logique programmable

Coordonnées
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: 18824255380

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