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MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

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MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

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बड़ी छवि :  MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT29F1G08ABAEAWP:E
दस्तावेज: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

वर्णन
परिचालन तापमान: -40℃~+85℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 2.7 वी ~ 3.6 वी
इंटरफ़ेस प्रकार: समानांतर भंडारण क्षमता: 1 जीबीटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 2-3टी/कॉइल पेज लिखने का समय (टीपीपी): 200us
प्रमुखता देना:

1Gb NAND Flash Memory 200us

,

X8 X16 NAND Flash 3.6V

,

Parallel NAND Flash Memory 2.7V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8, X16 NAND Flash Memory
8Gb NAND Flash Memory supporting single-programming operation with high reliability and data retention capability. Operating voltage: 2.7V~3.6V, 200µs parallel interface.
Compatible Models
MT29F1G08ABAEAWP, MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC
Key Features
  • Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant
  • Single-level cell (SLC) technology
  • Advanced command set including program/read page cache mode
  • One-time programmable (OTP) mode
  • Two-plane commands and internal data move operations
  • Ready/busy signal for hardware operation detection
  • Write protect entire device capability
Memory Organization
  • Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  • Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
  • Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
  • Plane size: 2 planes x 512 blocks per plane
  • Device size: 1Gb: 1024 blocks
Performance Specifications
  • Asynchronous I/O performance: tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
  • Read page: 25µs
  • Program page: 200µs (TYP, 3.3V and 1.8V)
  • Erase block: 700µs (TYP)
Operating Conditions
  • Voltage Range: VCC: 2.7-3.6V / 1.7-1.95V
  • Operating Temperature: Commercial (CT): 0ºC to +70ºC / Industrial (IT): -40ºC to +85ºC
  • Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
  • Package: 48-pin TSOP Type 1, CPL2
Technical Diagrams
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 0 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 1 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 2 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 3
Packaging & Shipping
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श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: आईएसएसआई

मूल उत्पाद संख्या: IS25WP016D

पैकेजिंग: टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी)
128 एमबी 104 मेगाहर्ट्ज स्पाई नोर फ्लैश प्रोग्रामर 8-बिट चिप W25N01GVZEIG

128 एमबी 104 मेगाहर्ट्ज स्पाई नोर फ्लैश प्रोग्रामर 8-बिट चिप W25N01GVZEIG

संगठन: 128एम x 8

पैकेज का प्रकार: SOIC

समय मिटाना: 1.5ms

पहूंच समय: 70ns
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श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स

श्रृंखला: SpiFlash®

मेमोरी प्रारूप: चमक
के बारे में

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