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MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND फ्लैश मेमोरी 200us पैरेलल 2.7V~3.6V

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MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND फ्लैश मेमोरी 200us पैरेलल 2.7V~3.6V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V
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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT29F1G08ABAEAWP:E
दस्तावेज: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND फ्लैश मेमोरी 200us पैरेलल 2.7V~3.6V

वर्णन
परिचालन तापमान: -40℃~+85℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 2.7 वी ~ 3.6 वी
इंटरफ़ेस प्रकार: समानांतर भंडारण क्षमता: 1 जीबीटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 2-3टी/कॉइल पेज लिखने का समय (टीपीपी): 200us
प्रमुखता देना:

1Gb NAND फ्लैश मेमोरी 200us

,

X8 X16 NAND फ्लैश 3.6V

,

पैरेलल NAND फ्लैश मेमोरी 2.7V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8, X16 NAND फ्लैश मेमोरी
8Gb NAND फ्लैश मेमोरी उच्च विश्वसनीयता और डेटा प्रतिधारण क्षमता के साथ एकल-प्रोग्रामिंग संचालन का समर्थन करती है। ऑपरेटिंग वोल्टेजः 2.7V ~ 3.6V, 200μs समानांतर इंटरफ़ेस।
संगत मॉडल
एमटी 29एफ1जी08एबीएईएपी, एमटी 29एफ1जी08एबीएईएएच4, एमटी 29एफ1जी08एबीएईएएच4, एमटी 29एफ1जी16एबीएईएएच4, एमटी 29एफ1जी08एबीएईएएच, एमटी 29एफ1जी16एबीएईएएच
प्रमुख विशेषताएं
  • ओपन एनएंड फ्लैश इंटरफेस (ओएनएफआई) 1.0- अनुरूप
  • एकल स्तरीय सेल (एसएलसी) तकनीक
  • प्रोग्राम/पन्ने कैश रीड सहित उन्नत कमांड सेट
  • एक बार प्रोग्राम करने योग्य (ओटीपी) मोड
  • दो-प्लेन कमांड और आंतरिक डेटा स्थानांतरण संचालन
  • हार्डवेयर ऑपरेशन का पता लगाने के लिए तैयार/व्यस्त संकेत
  • लिखें पूरी डिवाइस क्षमता की रक्षा करें
स्मृति संगठन
  • पृष्ठ आकार x8: 2112 बाइट्स (2048 + 64 बाइट्स)
  • पृष्ठ आकार x16: 1056 शब्द (1024 + 32 शब्द)
  • ब्लॉक का आकारः 64 पृष्ठ (128K + 4K बाइट्स)
  • विमान का आकारः 2 विमान x 512 ब्लॉक प्रति विमान
  • डिवाइस का आकारः 1Gb: 1024 ब्लॉक
प्रदर्शन विनिर्देश
  • असिंक्रोनस I/O प्रदर्शनः tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
  • पृष्ठ पढ़ेंः 25μs
  • कार्यक्रम पृष्ठः 200μs (TYP, 3.3V और 1.8V)
  • मिटाने का ब्लॉकः 700μs (TYP)
परिचालन की शर्तें
  • वोल्टेज रेंजः वीसीसीः 2.7-3.6V / 1.7-1.95V
  • परिचालन तापमानः वाणिज्यिक (CT): 0oC से +70oC / औद्योगिक (IT): -40oC से +85oC
  • स्थायित्वः 100,000 कार्यक्रम/शोधन चक्र
  • पैकेजः 48-पिन TSOP प्रकार 1, CPL2
तकनीकी आरेख
MT29F1G08ABAEAWP NAND Flash Memory technical diagram 1 MT29F1G08ABAEAWP NAND Flash Memory technical diagram 2 MT29F1G08ABAEAWP NAND Flash Memory technical diagram 3 MT29F1G08ABAEAWP NAND Flash Memory technical diagram 4
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

टैग:

SPI NOR फ्लैश,

नॉर एसपीआई,

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सम्पर्क करने का विवरण
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दूरभाष: +8618824255380

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पैकेज / मामला:: एसओपी-8

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श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: आईएसएसआई

मूल उत्पाद संख्या: IS25WP016D

पैकेजिंग: टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी)
128 एमबी 104 मेगाहर्ट्ज स्पाई नोर फ्लैश प्रोग्रामर 8-बिट चिप W25N01GVZEIG

128 एमबी 104 मेगाहर्ट्ज स्पाई नोर फ्लैश प्रोग्रामर 8-बिट चिप W25N01GVZEIG

संगठन: 128एम x 8

पैकेज का प्रकार: SOIC

समय मिटाना: 1.5ms

पहूंच समय: 70ns
64mbit NOR फ़्लैश मेमोरी डुअल क्वाड SPI W25Q64JVSSIQ

64mbit NOR फ़्लैश मेमोरी डुअल क्वाड SPI W25Q64JVSSIQ

श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स

श्रृंखला: SpiFlash®

मेमोरी प्रारूप: चमक
के बारे में

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