Rozmawiaj teraz. |
Dom ProduktyBłysk NOR

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V

Wszystkie produkty

FPGA Field Programmable Gate Array

(42)

Jednostka mikrokontrolera MCU

(44)

System SOC na chipie

(17)

Układ scalony MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Detektor termiczny w podczerwieni

(2)

Układ scalony DSP

(12)

Układ pamięci DRAM

(20)

Chip EEPROM

(70)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(18)

Błysk NOR

(51)

Układ scalony EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Obwody zintegrowane RF

(11)

Bateria litowo-jonowa

(22)

Programowanie sterowników PLC

(15)

Moduł GPS

(9)

Moduł częstotliwości radiowych

(9)

Moduł zasilania

(17)

Przekaźnik półprzewodnikowy

(11)

Antena komunikacyjna

(3)

Złącze

(8)

Chip zarządzania energią

(19)
Im Online Czat teraz

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

Duży Obraz :  MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CN
Nazwa handlowa: micron
Orzecznictwo: rohs
Numer modelu: MT2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S
Dokument: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1
Cena: consult with
Szczegóły pakowania: T/R
Czas dostawy: 5-8 dni
Zasady płatności: T/T, Western Union
Możliwość Supply: 100 000
Kontakt Rozmawiaj teraz.

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V

Opis
Temperatura pracy: -40 ℃ ~ + 85 ℃ Napięcie robocze: 2,7 V ~ 3,6 V
Typ interfejsu: Równoległy Pojemność pamięci: 1Gbit
Częstotliwość zegara (fc): - Czas zapisu strony (Tpp): 200us
Podkreślić:

1 GB pamięci NAND Flash 200us

,

X8 X16 NAND Flash 3.6V

,

Współczesna pamięć NAND Flash 2

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8, X16 NAND Flash Memory
8 GB pamięci NAND Flash obsługującej jednoprogramowanie z wysoką niezawodnością i zdolnością do przechowywania danych.
Kompatybilne modele
W przypadku, gdy wprowadzone środki są stosowane w celu ograniczenia lub ograniczenia ryzyka wystąpienia chorób, w przypadku gdy wprowadzone środki są stosowane w celu ograniczenia ryzyka wystąpienia chorób, w przypadku gdy wprowadzone środki są stosowane w celu ograniczenia ryzyka wystąpienia chorób, w przypadku gdy wprowadzone środki są stosowane w celu ograniczenia ryzyka wystąpienia chorób, w przypadku gdy wprowadzone środki są stosowane w celu ograniczenia ryzyka wystąpienia chorób.
Kluczowe cechy
  • Otwarty interfejs NAND Flash (ONFI) zgodny z wersją 1.0
  • Technologia komórek jednopoziomowych (SLC)
  • Zaawansowany zestaw poleceń, w tym tryb pamięci podręcznej programu/czytania strony
  • Tryb jednorazowego programowania (OTP)
  • Komendy dwuplanowe i operacje przemieszczania danych wewnętrznych
  • Sygnał gotowości/zajętości do wykrywania działania sprzętu
  • Zapisz chronić całą zdolność urządzenia
Organizacja pamięci
  • Rozmiar strony x8: 2112 bajtów (2048 + 64 bajty)
  • Wielkość strony x16: 1056 słów (1024 + 32 słowa)
  • Rozmiar bloku: 64 strony (128K + 4K bajtów)
  • Wielkość samolotu: 2 samoloty x 512 bloków na samolot
  • Wielkość urządzenia: 1 GB: 1024 bloki
Specyfikacje działania
  • Asynchroniczna moc wejścia/wyjścia: tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
  • Odczyt strony: 25 μs
  • Strona programu: 200 μs (TYP, 3,3 V i 1,8 V)
  • Blok usunięcia: 700 μs (TYP)
Warunki eksploatacji
  • Zakres napięcia: VCC: 2,7-3,6V / 1,7-1,95V
  • Temperatura pracy: handlowa (CT): 0oC do +70oC / przemysłowa (IT): -40oC do +85oC
  • Wytrzymałość: 100 000 cykli programu/wymazania
  • Pakiet: 48-pin TSOP typu 1, CPL2
Diagramy techniczne
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V 0 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V 1 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V 2 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Równoległy 2,7V~3,6V 3
Opakowanie i wysyłka
Dostępne standardowe opakowania eksportowe. Klienci mogą wybierać z kartonów, drewnianych pudełek i drewnianych palet zgodnie z ich wymaganiami.
Częste pytania
Jak uzyskać cenę?
Zazwyczaj oferujemy oferty w ciągu 24 godzin od otrzymania zapytania (z wyłączeniem weekendów i świąt).
Jaki jest czas dostawy?
Małe partie są zazwyczaj wysyłane w ciągu 7-15 dni, podczas gdy zlecenia dużych partii mogą wymagać około 30 dni w zależności od ilości zamówienia i sezonu.
Jakie są warunki płatności?
Ceny fabryczne z 30% depozytu i 70% zapłaty salda za pośrednictwem T/T przed wysyłką.
Jakie są opcje wysyłki?
Dostępne metody wysyłki obejmują przewozy morskie, lotnicze i ekspresowe (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Etykietka:

SPI NIE BLACH,

nor spi,

nor spi flash

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Osoba kontaktowa: Mr. Sun

Tel: +8618824255380

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Jednostka mikrokontrolera MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Microprocessor Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Mikrokontroler Jednostka 16 32KBytes Programowalny Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Mikrokontroler AVR Core Mikrokomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Pole programowalne urządzenie Array logiczne

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O macierz bramki polowej programowalny układ logiczny tablicy

XC7Z020-2CLG484I 2 x 32 KB chipy Cpld Programowalne układy logiczne 85000LE

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość FPGA Field Programmable Gate Array dostawca. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.