حالا حرف بزن |
خانه محصولاتفلاش NOR

حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت

همه محصولات

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

(42)

واحد میکروکنترلر MCU

(44)

سیستم روی تراشه (SOC)

(17)

IC MPU

(11)

آرایه دروازه منطقی قابل برنامه ریزی

(9)

دتکتور حرارتی مادون قرمز

(2)

تراشه آی سی DSP

(12)

تراشه حافظه DRAM

(20)

تراشه EEPROM

(70)

تراشه PSRAM

(5)

تراشه SRAM

(18)

فلاش NOR

(51)

آی سی ایپرام

(7)

آی‌سی UART

(8)

ADC DAC

(50)

مدارهای یکپارچه RF

(11)

باتری لیتیوم یونی

(22)

برنامه نویسی PLC

(15)

ماژول GPS

(9)

ماژول فرکانس رادیویی

(9)

ماژول برق

(17)

رله حالت جامد

(11)

آنتن ارتباطی

(3)

رابط

(8)

تراشه مدیریت برق

(19)
چت IM آنلاین در حال حاضر

حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

تصویر بزرگ :  حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت

جزئیات محصول:
محل منبع: CN
نام تجاری: micron
گواهی: rohs
شماره مدل: MT29F1G08ABAEAWP:E
سند: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 1
قیمت: consult with
جزئیات بسته بندی: T/R
زمان تحویل: 5-8 روز
شرایط پرداخت: T/T، وسترن یونیون
قابلیت ارائه: 100000
مخاطب حالا حرف بزن

حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت

شرح
دمای عملیاتی: -40℃~+85℃ ولتاژ عملیاتی: 2.7V~3.6V
نوع رابط: موازی ظرفیت ذخیره سازی: 1 گیگابیت
فرکانس ساعت (fc): - زمان نوشتن صفحه (Tpp): 200 ما
برجسته کردن:

حافظه فلش NAND 1 گیگابیت 200 میکروثانیه,حافظه فلش NAND X8 X16 3.6 ولت,حافظه فلش NAND موازی 2.7 ولت

,

X8 X16 NAND Flash 3.6V

,

Parallel NAND Flash Memory 2.7V

حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP: حافظه فلش NAND 1 گیگابایتی X8، X16
حافظه فلش NAND 8 گیگابایتی با پشتیبانی از عملیات برنامه‌ریزی تکی با قابلیت اطمینان بالا و قابلیت نگهداری داده. ولتاژ کاری: 2.7 ولت تا 3.6 ولت، رابط موازی 200 میکروثانیه.
مدل‌های سازگار
MT29F1G08ABAEAWP، MT29F1G08ABAEAH4، MT29F1G08ABBEAH4، MT29F1G16ABBEAH4، MT29F1G08ABBEAHC، MT29F1G16ABBEAHC
ویژگی‌های کلیدی
  • سازگار با رابط حافظه فلش NAND باز (ONFI) 1.0
  • تکنولوژی سلول تک سطحی (SLC)
  • مجموعه دستورالعمل‌های پیشرفته شامل حالت کش صفحه برنامه‌ریزی/خواندن
  • حالت قابل برنامه‌ریزی یک‌باره (OTP)
  • دستورالعمل‌های دو صفحه‌ای و عملیات انتقال داده داخلی
  • سیگنال آماده/مشغول برای تشخیص عملیات سخت‌افزاری
  • قابلیت محافظت از کل دستگاه در برابر نوشتن
سازماندهی حافظه
  • اندازه صفحه x8: 2112 بایت (2048 + 64 بایت)
  • اندازه صفحه x16: 1056 کلمه (1024 + 32 کلمه)
  • اندازه بلوک: 64 صفحه (128 کیلوبایت + 4 کیلوبایت)
  • اندازه صفحه: 2 صفحه x 512 بلوک در هر صفحه
  • اندازه دستگاه: 1 گیگابیت: 1024 بلوک
مشخصات عملکرد
  • عملکرد I/O ناهمزمان: tRC/tWC: 20 نانوثانیه (3.3 ولت)، 25 نانوثانیه (1.8 ولت)
  • صفحه خواندن: 25 میکروثانیه
  • صفحه برنامه‌ریزی: 200 میکروثانیه (معمول، 3.3 ولت و 1.8 ولت)
  • بلوک پاک کردن: 700 میکروثانیه (معمول)
شرایط عملیاتی
  • محدوده ولتاژ: VCC: 2.7-3.6 ولت / 1.7-1.95 ولت
  • دمای عملیاتی: تجاری (CT): 0 درجه سانتی‌گراد تا +70 درجه سانتی‌گراد / صنعتی (IT): -40 درجه سانتی‌گراد تا +85 درجه سانتی‌گراد
  • استقامت: 100,000 چرخه برنامه‌ریزی/پاک کردن
  • بسته بندی: TSOP نوع 1 با 48 پین، CPL2
نمودارهای فنی
حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت 0 حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت 1 حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت 2 حافظه فلش NAND MT29F1G08ABAEAWP:E 1 گیگابیت X8 X16 200 میکروثانیه موازی 2.7 ولت تا 3.6 ولت 3
بسته‌بندی و حمل و نقل
بسته‌بندی استاندارد صادراتی موجود است. مشتریان می‌توانند بر اساس نیاز خود از کارتن، جعبه‌های چوبی و پالت‌های چوبی انتخاب کنند.
سوالات متداول
چگونه قیمت را دریافت کنم؟
ما معمولاً ظرف 24 ساعت پس از دریافت درخواست شما، قیمت‌ها را ارائه می‌دهیم (به استثنای آخر هفته‌ها و تعطیلات). برای درخواست‌های قیمت فوری، لطفاً مستقیماً با ما تماس بگیرید.
زمان تحویل شما چقدر است؟
دسته‌های کوچک معمولاً ظرف 7 تا 15 روز ارسال می‌شوند، در حالی که سفارشات دسته‌های بزرگ ممکن است بسته به تعداد سفارش و فصل حدود 30 روز طول بکشد.
شرایط پرداخت شما چیست؟
قیمت کارخانه با 30% پیش پرداخت و 70% تسویه مانده از طریق T/T قبل از حمل و نقل.
گزینه‌های حمل و نقل چیست؟
روش‌های حمل و نقل موجود شامل حمل و نقل دریایی، حمل و نقل هوایی و تحویل سریع (EMS، UPS، DHL، TNT، FEDEX) است. لطفاً قبل از سفارش، روش ترجیحی خود را تأیید کنید.

برچسب:

نه SPI و نه Flash,نه اسپي,و نه فلش SPI,

حافظه فلش NAND 1 گیگابیت 200 میکروثانیه,حافظه فلش NAND X8 X16 3.6 ولت,حافظه فلش NAND موازی 2.7 ولت,

nor spi flash

اطلاعات تماس
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

تماس با شخص: Mr. Sun

تلفن: +8618824255380

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

واحد میکروکنترلر MCU

UART SPI MCU میکروکنترلر بازو Cortex-A35 میکرو پروسسور تراشه MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU مایکروکنترلر واحد 16 32KBytes برنامه ریزی قابل فلش ATMEGA168PA-AU

واحد ۱۲۸ کیلوبایت ۸ بیتی MCU واحد میکروکنترلر تراشه میکروکامپیوتر هسته AVR ATMEGA128A-AU

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Field قابل برنامه ریزی دستگاه منطق آرایه

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (چیپ دستگاه منطقی آرایه قابل برنامه ریزی)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB تراشه های Cpld تراشه های منطقی قابل برنامه ریزی 85000LE

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA تامین کننده. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.