نتحدث الآن |
منزل المنتجاتولا فلاش

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

جميع المنتجات

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

(42)

وحدة متحكم MCU

(44)

نظام على رقاقة

(17)

وحدة تحكم MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

كاشف الحرارة تحت الحمراء

(2)

رقاقة IC DSP

(12)

شريحة ذاكرة DRAM

(13)

رقاقة eeprom

(70)

شريحة PSRAM

(5)

شريحة SRAM

(18)

ولا فلاش

(40)

ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (EPROM) IC

(7)

IC UART

(8)

إدارة التحكم في الطاقة

(50)

الدوائر المتكاملة الراديوية

(11)

بطارية ليثيوم أيون

(22)

برمجة PLC

(15)

وحدة GPS

(9)

وحدة ترددات الراديو

(9)

وحدة الطاقة

(17)

ترحيل الحالة الصلبة

(11)

هوائي اتصالات

(3)

موصل

(8)

شريحة إدارة الطاقة

(13)
ابن دردش الآن

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

صورة كبيرة :  MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: micron
إصدار الشهادات: rohs
رقم الموديل: MT29F1G08ABAEAWP:E
الوثيقة: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1
الأسعار: consult with
تفاصيل التغليف: ر/ر
وقت التسليم: 5-8days
شروط الدفع: / تي تي، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 100000
اتصل نتحدث الآن

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

وصف
درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية~+85 درجة مئوية جهد التشغيل: 2.7 فولت ~ 3.6 فولت
نوع الواجهة: موازي سعة التخزين: 1 جيجابت
تردد الساعة (fc): - وقت كتابة الصفحة (Tpp): 200us
إبراز:

1Gb NAND Flash Memory 200us,X8 X16 NAND Flash 3.6V,Parallel NAND Flash Memory 2.7V

,

X8 X16 NAND Flash 3.6V

,

Parallel NAND Flash Memory 2.7V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8, X16 NAND Flash Memory
8Gb NAND Flash Memory supporting single-programming operation with high reliability and data retention capability. Operating voltage: 2.7V~3.6V, 200µs parallel interface.
Compatible Models
MT29F1G08ABAEAWP, MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC
Key Features
  • Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant
  • Single-level cell (SLC) technology
  • Advanced command set including program/read page cache mode
  • One-time programmable (OTP) mode
  • Two-plane commands and internal data move operations
  • Ready/busy signal for hardware operation detection
  • Write protect entire device capability
Memory Organization
  • Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  • Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
  • Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
  • Plane size: 2 planes x 512 blocks per plane
  • Device size: 1Gb: 1024 blocks
Performance Specifications
  • Asynchronous I/O performance: tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
  • Read page: 25µs
  • Program page: 200µs (TYP, 3.3V and 1.8V)
  • Erase block: 700µs (TYP)
Operating Conditions
  • Voltage Range: VCC: 2.7-3.6V / 1.7-1.95V
  • Operating Temperature: Commercial (CT): 0ºC to +70ºC / Industrial (IT): -40ºC to +85ºC
  • Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
  • Package: 48-pin TSOP Type 1, CPL2
Technical Diagrams
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 0 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 1 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 2 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 3
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

بطاقة:

ذاكرة فلاش NOR SPI,لا spi,ذاكرة فلاش nor spi,

1Gb NAND Flash Memory 200us,X8 X16 NAND Flash 3.6V,Parallel NAND Flash Memory 2.7V,

nor spi flash

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

اتصل شخص: Mr. Sun

الهاتف :: +8618824255380

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

وحدة متحكم MCU

UART SPI MCU متحكم دقيق معالج دقيق Arm Cortex-A35 شريحة MA35D16F887C

وحدة تحكم دقيقة من Atmel 8 بت، 16-32 كيلوبايت، ذاكرة فلاش قابلة للبرمجة ATMEGA168PA-AU

128 كيلو بايت 8 بت وحدة تحكم دقيقة وحدة المعالجة المركزية شريحة حاسوب دقيق بنواة AVR ATMEGA128A-AU

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD صفيف منطق الجهاز القابل للبرمجة الميداني

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O بوابة المجال صفحة المجال قابل للبرمجة صفحة المنطقية جهاز رقاقة

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB رقائق Cpld رقائق منطقية قابلة للبرمجة 85000LE

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA المورد. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.