พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์แฟลช NOR

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(44)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(14)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(18)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

(22)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(17)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(13)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

ภาพใหญ่ :  MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: micron
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: NT2F1G08ABAEAWP:E
เอกสาร: 2C1890E3DBCDCF6D0CD38142820...AE.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V

ลักษณะ
อุณหภูมิในการทำงาน: -40°C~+85°C แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: 2.7V~3.6V
ประเภทอินเทอร์เฟซ: ขนาน ความจุในการจัดเก็บข้อมูล: 1 กิกะบิต
ความถี่นาฬิกา (fc): - เวลาในการเขียนหน้า (Tpp): 200us
เน้น:

1Gb NAND Flash Memory 200us

,

X8 X16 NAND Flash 3.6V

,

Parallel NAND Flash Memory 2.7V

MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8, X16 NAND Flash Memory
8Gb NAND Flash Memory supporting single-programming operation with high reliability and data retention capability. Operating voltage: 2.7V~3.6V, 200µs parallel interface.
Compatible Models
MT29F1G08ABAEAWP, MT29F1G08ABAEAH4, MT29F1G08ABBEAH4, MT29F1G16ABBEAH4, MT29F1G08ABBEAHC, MT29F1G16ABBEAHC
Key Features
  • Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant
  • Single-level cell (SLC) technology
  • Advanced command set including program/read page cache mode
  • One-time programmable (OTP) mode
  • Two-plane commands and internal data move operations
  • Ready/busy signal for hardware operation detection
  • Write protect entire device capability
Memory Organization
  • Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  • Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
  • Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
  • Plane size: 2 planes x 512 blocks per plane
  • Device size: 1Gb: 1024 blocks
Performance Specifications
  • Asynchronous I/O performance: tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
  • Read page: 25µs
  • Program page: 200µs (TYP, 3.3V and 1.8V)
  • Erase block: 700µs (TYP)
Operating Conditions
  • Voltage Range: VCC: 2.7-3.6V / 1.7-1.95V
  • Operating Temperature: Commercial (CT): 0ºC to +70ºC / Industrial (IT): -40ºC to +85ºC
  • Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
  • Package: 48-pin TSOP Type 1, CPL2
Technical Diagrams
MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 0 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 1 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 2 MT29F1G08ABAEAWP:E 1Gb X8 X16 NAND Flash Memory 200us Parallel 2.7V~3.6V 3
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

แท็ก:

SPI หรือ Flash,

นอร์สไป,

นอร์สไป แฟลช

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.