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Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT

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Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Imagem Grande :  Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: micron
Certificação: ROHS
Número do modelo: MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Documento: 398169C165E45CF079D5ACF47F5...56.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: CONSULT WITH
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8day
Termos de pagamento: Western Union, T/T
Habilidade da fonte: 10000
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Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT

descrição
Embalagem universal: LBGA-64 ROHS: Conformidade
Método de instalação: Instalação de montagem em superfície Temperatura de Operação: -40℃(TA)-85℃(TA)
Comprimento * largura * altura: 13mm*11mm Grau de aplicação: Grau industrial
Método de embalagem: Paleta Tensão mínima de alimentação em funcionamento: 2.7V
Organização: 32 M x 8,16 M x 16
Destacar:

Chip SRAM Estático

,

Chip SRAM de 2.7V

,

MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Acesso estático aleatório paralelo NOR Flash Chip de memória incorporada MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Especificações do produto
Embalagem universal LBGA-64
RoHS Conformidade
Método de instalação Instalação de montagem na superfície
Temperatura de funcionamento -40°C (TA) -85°C (TA)
Dimensões 13 mm × 11 mm
Grau de aplicação Grau industrial
Método de embalagem Paleta
Tensão de funcionamento mínima 2.7V
Organização 32 M × 8, 16 M × 16
Características fundamentais
  • Tecnologia de processo de célula de nível único (SLC) com densidade de 256 Mb
  • Voltagem de alimentação: VCC = 2,7-3,6V (programa, apagamento, leitura)
  • Leitura aleatória/página assíncrona com acesso a página de 20ns
  • Capacidade de programa de buffer a 2,0-2,5 MB/s
  • Eliminação de blocos (128KB) em 0,2 s (típico)
  • Blocos de memória uniformes (128KB ou 64KW cada) com autocarro de dados x8/x16
  • Capacidade de suspensão e retomada do programa/apagar
  • Características avançadas de proteção, incluindo VPP/WP# e proteção por software
  • Bloco de memória alargado para identificação segura
  • JESD47-conforme com um mínimo de 100 000 ciclos de apagamento e 20 anos de conservação dos dados
  • Embalagens compatíveis com a RoHS e sem halogênio
Imagens do produto
Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT 0 Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT 1 Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT 2 Chip SRAM Estático Flash de Memória Embutida MT28EW256ABA1HPC-0SIT 3
Embalagem e transporte

Embalagens de exportação padrão disponíveis. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com as necessidades.

Perguntas Frequentes
Como obter o preço?

Normalmente, fornecemos cotações dentro de 24 horas após o recebimento de consultas (excluindo fins de semana e feriados).

Qual é o seu prazo de entrega?

Os prazos de entrega variam de acordo com a quantidade do pedido e a estação.

Quais são os seus termos de pagamento?

Termos normais: Preço de fábrica com depósito de 30% e pagamento do saldo de 70% antes do envio através de transferência T/T.

Quais são as suas opções de transporte?

Oferecemos transporte marítimo, aéreo e expresso (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

etiqueta:

chip SRAM,

chip de memória SRAM,

SRAM no chip

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: 18824255380

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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