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Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT

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Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Static SRAM Chip Flash Embedded Memory Chip  MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Static SRAM Chip Flash Embedded Memory Chip  MT28EW256ABA1HPC-0SIT Static SRAM Chip Flash Embedded Memory Chip  MT28EW256ABA1HPC-0SIT Static SRAM Chip Flash Embedded Memory Chip  MT28EW256ABA1HPC-0SIT Static SRAM Chip Flash Embedded Memory Chip  MT28EW256ABA1HPC-0SIT

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Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: micron
Certificación: ROHS
Número de modelo: MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Documento: 398169C165E45CF079D5ACF47F5...56.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: CONSULT WITH
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8day
Condiciones de pago: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de la fuente: 10000
Contacto Ahora Charle

Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT

descripción
Embalaje universal: LBGA-64 Protección de la salud: El cumplimiento
Método de instalación: Instalación de montaje en superficie Temperatura de funcionamiento: -40 °C (TA) -85 °C (TA)
Duración * anchura * altura: 13 mm*11 mm Calificación de la solicitud: Grado industrial
Método de envasado: Palé Válvulas de suministro de energía de trabajo: 2.7V
Organizaciones: 32 M x 8,16 M x 16
Resaltar:

Chip de SRAM Estática

,

Chip de SRAM de 2.7V

,

MT28EW256ABA1HPC-0SIT

Acceso aleatorio estático paralelo ni Chip de memoria de Flash incrustado MT28EW256ABA1HPC-0SIT
Especificaciones del producto
Embalaje universal LBGA-64
ROHS Cumplimiento
Método de instalación Instalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento -40 ℃ (TA) -85 ℃ (TA)
Dimensiones 13 mm × 11 mm
Calificación de la aplicación Grado industrial
Método de embalaje Paleta
Voltaje de trabajo mínimo 2.7V
Organización 32 m × 8, 16 m × 16
Características clave
  • Tecnología de proceso de células de un solo nivel (SLC) con densidad de 256 MB
  • Voltaje de suministro: VCC = 2.7-3.6V (programa, borrado, lectura)
  • Leer aleatorio/de página asincrónico con acceso a la página de 20ns
  • Capacidad del programa de búfer a 2.0-2.5 MB/s
  • Bloqueo de bloque (128 kb) en 0.2s (típico)
  • Bloques de memoria uniformes (128 kb o 64kw cada uno) con bus de datos x8/x16
  • Programa/Borrera de suspensión y capacidad de reanudación
  • Características de protección avanzada que incluyen VPP/WP# y protección de software
  • Bloque de memoria extendido para una identificación segura
  • Complante de JESD47 con 100,000 ciclos de borrado mínimo y retención de datos de 20 años
  • Embalaje sin halógenos que cumple con ROHS
Imágenes de productos
Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT 0 Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT 1 Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT 2 Chip de SRAM Estática con Memoria Flash Integrada MT28EW256ABA1HPC-0SIT 3
Embalaje y envío

Embalaje de exportación estándar disponible. Los clientes pueden elegir entre cajas de cartones, estuches de madera y paletas de madera de acuerdo con los requisitos.

Preguntas frecuentes
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Términos estándar: precio de fábrica con depósito del 30% y 70% de pago de saldo antes del envío a través de la transferencia T/T.

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Calificación general

5.0
Basado en 50 reseñas para este proveedor

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Todas las reseñas

J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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Teléfono: +8618824255380

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