MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Память 4 Гбит 16 бит 933 МГц FBGA-96 Промышленный класс

• VDD = VDDQ = 1,35 В (1,283 ∼1,45 В)
• В обратном направлении совместимая с VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • Поддерживает устройства DDR3L для обратной совместимости в 1,5В приложениях
• Дифференциальная двунаправленная данная строб
• Архитектура 8n-битного префетча
• Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
• 8 внутренних банков
• Номинальное и динамическое завершение на стенде (ODT) для сигналов данных, светодиода и маски
• Программируемая задержка CAS (READ) (CL)
• Программируемая заданная задержка CAS-аддитива (AL)
• Программируемая задержка CAS (WRITE) (CWL)
• Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и разрыв (BC) 4 (через набор реестров режима [MRS])
• Избираемый BC4 или BL8 на ходу (OTF)
• Режим самообновления
• TC 105°C
  • 64 мс, 8192 цикла обновления до 85°C
  • 32 мс, 8192 цикла обновления при > 85°C до 95°C
  • 16 ms, 8192 цикла обновления при > 95°C до 105°C
• Температура самообновления (SRT)
• Автоматическое обновление (ASR)
• Уравнение записи
• Многоцелевой регистр
• Калибровка выходного драйвера

• Конфигурация
  • 1 гигг х 4 1 гигг4
  • 512 МГ х 8 512 М8
  • 256 МГ х 16 256 М16
• Пакет FBGA (без Pb) x4, x8
  • 78 шаров (9 мм х 10,5 мм) Rev. E RH
  • 78 шаров (7,5 мм х 10,6 мм) Rev. N RG
  • 78 шаров (8мм х 10,5мм) Rev. P DA
• Пакет FBGA (без Pb) x16
  • 96 шаров (9 мм х 14 мм) Rev. E HA
  • 96 шаров (7,5 мм x 13,5 мм) Rev. N LY
  • 96 шаров (8мм х 14мм) Rev. P TW
• Сроки время цикла
  • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
• Рабочая температура
  • Коммерческие (0°C TC +95°C) Никакие
  • Промышленный (TC +95°C) IT
  • Автомобильные (TC +105°C) AT
• Пересмотр:

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.