MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Speicher 4 Gbit 16 Bit 933 MHz FBGA-96 Industrieklasse

• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283–1,45 V)
• Abwärtskompatibel zu VDD = VDDQ = 1,5 V ±0,075 V
  • Unterstützt DDR3L-Geräte für Abwärtskompatibilität in 1,5-V-Anwendungen
• Differenzieller bidirektionaler Datenstrobe
• 8n-Bit-Prefetch-Architektur
• Differenzielle Takteingänge (CK, CK#)
• 8 interne Bänke
• Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale
• Programmierbare CAS (READ)-Latenz (CL)
• Programmierbare Additive Latenz (AL) nach CAS
• Programmierbare CAS (WRITE)-Latenz (CWL)
• Feste Burst-Länge (BL) von 8 und Burst-Chop (BC) von 4 (über das Modusregister [MRS])
• Wählbare BC4 oder BL8 On-the-fly (OTF)
• Selbstaktualisierungsmodus
• TC von 105 °C
  • 64 ms, 8192-Zyklus-Aktualisierung bis zu 85 °C
  • 32 ms, 8192-Zyklus-Aktualisierung bei >85 °C bis 95 °C
  • 16 ms, 8192-Zyklus-Aktualisierung bei >95 °C bis 105 °C
• Selbstaktualisierungstemperatur (SRT)
• Automatische Selbstaktualisierung (ASR)
• Write-Leveling
• Mehrzweckregister
• Ausgangstreiberkalibrierung

• Konfiguration
  • 1 Gig x 4 1G4
  • 512 Meg x 8 512M8
  • 256 Meg x 16 256M16
• FBGA-Gehäuse (bleifrei) – x4, x8
  • 78-Ball (9 mm x 10,5 mm) Rev. E RH
  • 78-Ball (7,5 mm x 10,6 mm) Rev. N RG
  • 78-Ball (8 mm x 10,5 mm) Rev. P DA
• FBGA-Gehäuse (bleifrei) – x16
  • 96-Ball (9 mm x 14 mm) Rev. E HA
  • 96-Ball (7,5 mm x 13,5 mm) Rev. N LY
  • 96-Ball (8 mm x 14 mm) Rev. P TW
• Timing – Zykluszeit
  • 938 ps bei CL = 14 (DDR3-2133) -093
  • 1,07 ns bei CL = 13 (DDR3-1866) -107
  • 1,25 ns bei CL = 11 (DDR3-1600) -125
• Betriebstemperatur
  • Kommerziell (0 °C TC +95 °C) Keine
  • Industrie (–40 °C TC +95 °C) IT
  • Automobil (–40 °C TC +105 °C) AT
• Revision :E/:N/:P

Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.