MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L मेमोरी 4 Gbit 16 बिट 933 मेगाहर्ट्ज FBGA-96 औद्योगिक ग्रेड

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V के साथ पिछड़ा संगत
  • 1.5V अनुप्रयोगों में पिछड़ा संगत होने के लिए DDR3L उपकरणों का समर्थन करता है
• विभेदक द्वि-दिशात्मक डेटा स्ट्रोब
• 8n-बिट प्रीफ़ेच आर्किटेक्चर
• विभेदक घड़ी इनपुट (CK, CK#)
• 8 आंतरिक बैंक
• डेटा, स्ट्रोब और मास्क संकेतों के लिए नाममात्र और गतिशील ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)
• प्रोग्रामेबल CAS (READ) विलंबता (CL)
• प्रोग्रामेबल पोस्टेड CAS एडिटिव विलंबता (AL)
• प्रोग्रामेबल CAS (WRITE) विलंबता (CWL)
• 8 की निश्चित बस्ट लंबाई (BL) और 4 की बस्ट चॉप (BC) (मोड रजिस्टर सेट [MRS] के माध्यम से)
• ऑन-द-फ्लाई (OTF) पर चयन योग्य BC4 या BL8
• स्वयं ताज़ा मोड
• 105°C का TC
  • 64ms, 85°C तक 8192-चक्र ताज़ा करें
  • >85°C से 95°C पर 32ms, 8192-चक्र ताज़ा करें
  • >95°C से 105°C पर 16ms, 8192-चक्र ताज़ा करें
• स्वयं ताज़ा तापमान (SRT)
• स्वचालित स्वयं ताज़ा (ASR)
• राइट लेवलिंग
• बहुउद्देश्यीय रजिस्टर
• आउटपुट ड्राइवर अंशांकन

• विन्यास
  • 1 गीगा x 4 1G4
  • 512 मेगा x 8 512M8
  • 256 मेगा x 16 256M16
• FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x4, x8
  • 78-बॉल (9mm x 10.5mm) रेव। ई आरएच
  • 78-बॉल (7.5mm x 10.6mm) रेव। एन आरजी
  • 78-बॉल (8mm x 10.5mm) रेव। पी डीए
• FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x16
  • 96-बॉल (9mm x 14mm) रेव। ई एचए
  • 96-बॉल (7.5mm x 13.5mm) रेव। एन एलवाई
  • 96-बॉल (8mm x 14mm) रेव। पी टीडब्ल्यू
• समय – चक्र समय
  • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
  • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
  • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
• परिचालन तापमान
  • वाणिज्यिक (0°C TC +95°C) कोई नहीं
  • औद्योगिक (–40°C TC +95°C) आईटी
  • ऑटोमोटिव (–40°C TC +105°C) एटी
• संशोधन :ई/:एन/:पी

मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार डिब्बों, लकड़ी के बक्सों और लकड़ी के पैलेट में से चुन सकते हैं।