MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Μνήμη 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Βιομηχανικός βαθμός

• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283–1,45 V)
• Συμβατό προς τα πίσω με VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • Υποστηρίζει συσκευές DDR3L ώστε να είναι συμβατές προς τα πίσω σε εφαρμογές 1,5V
• Διαφορικό αμφίδρομο στροβοσκόπιο δεδομένων
• Αρχιτεκτονική προφόρτωσης 8n-bit
• Είσοδοι διαφορικού ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστικός και δυναμικός τερματισμός on-die (ODT) για σήματα δεδομένων, στροβοσκοπίου και μάσκας
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS (READ) (CL)
• Προγραμματιζόμενος λανθάνοντας χρόνος πρόσθετου CAS (AL)
• Προγραμματιζόμενος λανθάνων χρόνος CAS (WRITE) (CWL)
• Σταθερό μήκος ριπής (BL) 8 και μπριζόλα ριπής (BC) 4 (μέσω του σετ μητρώου λειτουργίας [MRS])
• Επιλέξιμο BC4 ή BL8 on-the-fly (OTF)
• Λειτουργία αυτόματης ανανέωσης
• TC 105°C
  • 64 ms, ανανέωση 8192 κύκλων έως 85°C
  • 32 ms, ανανέωση 8192 κύκλων σε >85°C έως 95°C
  • 16 ms, ανανέωση 8192 κύκλων σε >95°C έως 105°C
• Θερμοκρασία αυτοανανέωσης (SRT)
• Αυτόματη αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Μητρώο πολλαπλών χρήσεων
• Βαθμονόμηση προγράμματος οδήγησης εξόδου

• Διαμόρφωση
  • 1 Gig x 4 1G4
  • 512 Meg x 8 512M8
  • 256 Meg x 16 256M16
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) – x4, x8
  • 78-μπάλα (9mm x 10,5mm) Rev. E RH
  • 78-μπάλα (7,5mm x 10,6mm) Rev. N RG
  • 78-μπάλα (8mm x 10,5mm) Rev. P DA
• Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) – x16
  • 96-μπάλα (9mm x 14mm) Rev. E HA
  • 96-μπάλα (7,5mm x 13,5mm) Rev. N LY
  • 96-μπάλα (8mm x 14mm) Rev. P TW
• Χρονισμός – χρόνος κύκλου
  • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
  • 1,07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
  • 1,25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  • Εμπορικό (0°C TC +95°C) Κανένα
  • Βιομηχανικό (–40°C TC +95°C) IT
  • Αυτοκίνητο (–40°C TC +105°C) AT
• Αναθεώρηση :E/:N/:P

Διατίθεται τυπική συσκευασία εξαγωγής. Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτοκιβώτια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις τους.