พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิป SRAM

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(129)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(26)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(20)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(79)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(19)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(38)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade

ภาพใหญ่ :  MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: micron
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: MT41K256M16TW-107 IT:P
เอกสาร: C367428_E750824A5A9FE6A8314...EA.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม

ลักษณะ
ประเภทสินค้า:: ดราม่า พิมพ์:: SDRAM - DDR3L
ขนาดหน่วยความจำ:: 4 กิกะบิต ความกว้างของบัสข้อมูล:: 16 บิต
ความถี่นาฬิกาสูงสุด:: 933 เมกะเฮิรตซ์ บรรจุภัณฑ์ / กล่อง:: FBGA-96
เน้น:

4 Gbit DRAM

,

SDRAM 16 บิต

,

ความจํา 933 MHz DDR3L

MT41K256M16TW-107 ไอที:P DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 ไอที
คุณสมบัติ
  • วีดีดี = วีดีดีคิว = 1.35V (1.283–1.45V)
  • เข้ากันได้กับ VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
    • รองรับอุปกรณ์ DDR3L เพื่อให้เข้ากันได้แบบย้อนหลังในแอปพลิเคชัน 1.5V
  • แฟลชข้อมูลแบบสองทิศทางที่แตกต่างกัน
  • สถาปัตยกรรมการดึงข้อมูลล่วงหน้า 8n บิต
  • อินพุตนาฬิกาดิฟเฟอเรนเชียล (CK, CK#)
  • ธนาคารภายใน 8 แห่ง
  • การยุติ on-die ที่กำหนดและไดนามิก (ODT) สำหรับสัญญาณข้อมูล แฟลช และมาสก์
  • เวลาแฝง CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้ (อ่าน) (CL)
  • เวลาแฝงเสริม CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้ (AL)
  • เวลาแฝง CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้ (เขียน) (CWL)
  • ความยาวต่อเนื่องคงที่ (BL) เท่ากับ 8 และ Burst Chop (BC) เท่ากับ 4 (ผ่านชุดการลงทะเบียนโหมด [MRS])
  • เลือก BC4 หรือ BL8 ได้ทันที (OTF)
  • โหมดรีเฟรชตัวเอง
  • TC 105°C
    • 64ms, 8192 รอบรีเฟรชสูงสุด 85°C
    • 32ms, รีเฟรช 8192 รอบที่ >85°C ถึง 95°C
    • 16ms, รีเฟรช 8192 รอบที่ >95°C ถึง 105°C
  • อุณหภูมิรีเฟรชตัวเอง (SRT)
  • รีเฟรชตัวเองอัตโนมัติ (ASR)
  • เขียนการปรับระดับ
  • ทะเบียนอเนกประสงค์
  • การสอบเทียบไดรเวอร์เอาต์พุต
การทำเครื่องหมายตัวเลือก
  • การกำหนดค่า
    • 1 กิ๊ก x 4 1G4
    • 512 เมกะไบต์ x 8 512M8
    • 256 เมกะไบต์ x 16 256M16
  • แพ็คเกจ FBGA (ปลอดสาร Pb) – x4, x8
    • 78-บอล (9 มม. x 10.5 มม.) รายได้ E RH
    • 78 บอล (7.5 มม. x 10.6 มม.) Rev. N RG
    • 78-บอล (8มม. x 10.5มม.) Rev. P DA
  • แพ็คเกจ FBGA (ปลอด Pb) – x16
    • 96 ลูก (9มม. x 14มม.) Rev. E HA
    • 96 ลูก (7.5 มม. x 13.5 มม.) Rev. N LY
    • 96 ลูก (8มม. x 14มม.) Rev. P TW
  • ไทม์มิ่ง – ไซเคิลไทม์
    • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
    • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
    • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
  • อุณหภูมิในการทำงาน
    • เชิงพาณิชย์ (0°C TC +95°C) ไม่มี
    • อุตสาหกรรม (–40°C TC +95°C) ไอที
    • ยานยนต์ (–40°C TC +105°C) AT
  • การแก้ไข :E/:N/:P
ตารางที่ 1: พารามิเตอร์ไทม์มิ่งที่สำคัญ
เกรดความเร็ว อัตราข้อมูล (MT/s) เป้าหมาย tRCD-tRP-CL tRCD (ns) ทีอาร์พี (ns) ซีแอล (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-57 13.09 13.09 13.09
-107 1 พ.ศ. 2409 13-13-56 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม 0 MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม 1 MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L ความจํา 4 Gbit 16 บิต 933 MHz FBGA-96 เกรดอุตสาหกรรม 2
บรรจุภัณฑ์และการจัดส่ง

มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกแบบกล่อง ลังไม้ และพาเลทไม้ได้ตามความต้องการ

คำถามที่พบบ่อย

จะได้รับราคาอย่างไร?

โดยทั่วไปเราจะเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับคำถามของคุณ (ไม่รวมวันหยุดสุดสัปดาห์และวันหยุดนักขัตฤกษ์) สำหรับการร้องขอราคาเร่งด่วน โปรดติดต่อเราโดยตรง

เวลาในการจัดส่งของคุณคืออะไร?

โดยทั่วไปสำหรับชุดเล็กจะจัดส่งภายใน 7-15 วัน ในขณะที่คำสั่งซื้อชุดใหญ่อาจต้องใช้เวลาประมาณ 30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณและฤดูกาลในการสั่งซื้อ

เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร?

ราคาโรงงานพร้อมเงินฝาก 30% และยอดคงเหลือ 70% ผ่าน T/T ก่อนจัดส่ง

มีตัวเลือกการจัดส่งอะไรบ้าง?

วิธีการจัดส่งที่มีอยู่ ได้แก่ การขนส่งทางทะเล การขนส่งทางอากาศ และการจัดส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) โปรดยืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนสั่งซื้อ

คะแนนโดยรวม

5.0
จาก 50 รีวิวสำหรับผู้ขายรายนี้

รูปฉบับการจัดอันดับ

ต่อไปนี้คือการกระจายการจัดอันดับทั้งหมด
5 ดาว
100%
4 ดาว
0%
3 ดาว
0%
2 ดาว
0%
1 ดาว
0%

รีวิวทั้งหมด

J
Jacques
France Oct 8.2025
เป็นประโยชน์ (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
แท็ก:

ชิป SRAM,

ชิปหน่วยความจำ SRAM,

SRAM บนชิป

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
256Kbit TSOP-28 SRAM Chip Static Random Access Memory CY62256NLL-55ZXIT อนุรักษ์ความทรงจําแบบสุ่ม

256Kbit TSOP-28 SRAM Chip Static Random Access Memory CY62256NLL-55ZXIT อนุรักษ์ความทรงจําแบบสุ่ม

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 256 กิโลบิต

องค์กร:: 32 กx 8
หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสแตติก 8Mbit ชิป Sram COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสแตติก 8Mbit ชิป Sram COMS CY7C1051DV33-10ZSXIT

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 8 เมกะบิต

องค์กร:: 512 kx 16
512k X 16 SRAM ชิป IS62WV51216BLL-55TLI CMOS ความดันต่ํา

512k X 16 SRAM ชิป IS62WV51216BLL-55TLI CMOS ความดันต่ํา

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบคงที่ (SRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: ทปอ.-44

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
1Mbit COMS Sram Memory Chip เอมโมรี่การเข้าสุ่มสแตตติก CY7C1019DV33-10VXI

1Mbit COMS Sram Memory Chip เอมโมรี่การเข้าสุ่มสแตตติก CY7C1019DV33-10VXI

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 1 เมกะบิต

องค์กร:: 128 กx 8
ชิป SRAM สแตติก 18Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

ชิป SRAM สแตติก 18Mbit 6.5 Ns COMS CY7C1381KV33-133AXI

ผู้ผลิต:: อินฟินิออน

ประเภทสินค้า:: แรม

ขนาดหน่วยความจำ:: 18 เมกะบิต

องค์กร:: 512 kx 36
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.