제품 소개SRAM 칩

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L 메모리 4 Gbit 16 비트 933 MHz FBGA-96 산업 등급

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MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L 메모리 4 Gbit 16 비트 933 MHz FBGA-96 산업 등급

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L Memory 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 Industrial Grade

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT41K256M16TW-107 그것 :P
문서: C367428_E750824A5A9FE6A8314...EA.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: 수입 담보 화물 보관증
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
접촉 지금 챗팅하세요

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3L 메모리 4 Gbit 16 비트 933 MHz FBGA-96 산업 등급

설명
상품 카테고리 :: 음주 유형:: SDRAM - DDR3L
메모리 용량 :: 4기가비트 데이터 버스 폭:: 16비트
최대 클록 주파수:: 933 마하즈 패키지 / 건 :: FBGA-96
강조하다:

4 Gbit DRAM

,

16 비트 SDRAM

,

933 MHz DDR3L 메모리

MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 IT
특징
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V와 하위 호환
    • 1.5V 응용 분야에서 하위 호환성을 위해 DDR3L 장치 지원
  • 차동 양방향 데이터 스트로브
  • 8n-비트 프리페치 아키텍처
  • 차동 클럭 입력(CK, CK#)
  • 8개의 내부 뱅크
  • 데이터, 스트로브 및 마스크 신호에 대한 공칭 및 동적 온다이 터미네이션(ODT)
  • 프로그래밍 가능한 CAS(READ) 대기 시간(CL)
  • 프로그래밍 가능한 게시된 CAS 추가 대기 시간(AL)
  • 프로그래밍 가능한 CAS(WRITE) 대기 시간(CWL)
  • 고정 버스트 길이(BL) 8 및 버스트 찹(BC) 4(모드 레지스터 세트[MRS]를 통해)
  • 온더플라이(OTF)에서 선택 가능한 BC4 또는 BL8
  • 자동 새로 고침 모드
  • TC 105°C
    • 최대 85°C에서 64ms, 8192-사이클 새로 고침
    • 85°C 초과 ~ 95°C에서 32ms, 8192-사이클 새로 고침
    • 95°C 초과 ~ 105°C에서 16ms, 8192-사이클 새로 고침
  • 자동 새로 고침 온도(SRT)
  • 자동 자체 새로 고침(ASR)
  • 쓰기 레벨링
  • 다목적 레지스터
  • 출력 드라이버 보정
옵션 마킹
  • 구성
    • 1기가 x 4 1G4
    • 512메가 x 8 512M8
    • 256메가 x 16 256M16
  • FBGA 패키지(무연) – x4, x8
    • 78-볼(9mm x 10.5mm) Rev. E RH
    • 78-볼(7.5mm x 10.6mm) Rev. N RG
    • 78-볼(8mm x 10.5mm) Rev. P DA
  • FBGA 패키지(무연) – x16
    • 96-볼(9mm x 14mm) Rev. E HA
    • 96-볼(7.5mm x 13.5mm) Rev. N LY
    • 96-볼(8mm x 14mm) Rev. P TW
  • 타이밍 – 사이클 시간
    • 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) -093
    • 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
    • 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
  • 작동 온도
    • 상업용(0°C TC +95°C) 없음
    • 산업용(–40°C TC +95°C) IT
    • 자동차용(–40°C TC +105°C) AT
  • 개정판 :E/:N/:P
표 1: 주요 타이밍 매개변수
속도 등급 데이터 속도(MT/s) 대상 tRCD-tRP-CL tRCD(ns) tRP(ns) CL(ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
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포장 및 배송

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