ชิป EEPROM 1Kb 256Mb หน่วยความจำอ่านอย่างเดียวแบบโปรแกรมได้และลบได้ด้วยไฟฟ้า DS28E01P-100+T

DS28E01-100 ผสมผสาน EEPROM 1024 บิตเข้ากับความปลอดภัยการตรวจสอบความถูกต้องและตอบสนองต่อความท้าทายและการตอบสนองที่ใช้กับอัลกอริทึม HASH Secure ISO/IEC 10118-3 (SHA-1) อาร์เรย์ EEPROM 1024 บิตได้รับการกำหนดค่าเป็นสี่หน้าของ 256 บิตพร้อมรอยขีดข่วน 64 บิตเพื่อดำเนินการเขียน

หน้าหน่วยความจำทั้งหมดสามารถได้รับการป้องกันการเขียนและสามารถวางหน้าหนึ่งหน้าในโหมด ePROM-emulation ซึ่งบิตสามารถเปลี่ยนได้จาก 1 เป็นสถานะ 0 DS28E01-100 แต่ละตัวมีหมายเลขลงทะเบียน ROM 64 บิตที่ไม่ซ้ำกันซึ่งเป็นของตัวเองซึ่งเป็นโรงงานที่ใช้ในชิป

DS28E01-100 สื่อสารผ่านบัส 1-Wire®ติดต่อเดี่ยว การสื่อสารเป็นไปตามโปรโตคอล 1 สายมาตรฐานพร้อมหมายเลขการลงทะเบียนที่ทำหน้าที่เป็นที่อยู่โหนดในกรณีของเครือข่ายหลายสาย 1 สาย

• 1024 บิตหน่วยความจำ EEPROM แบ่งออกเป็นสี่หน้าของ 256 บิต
• เครื่องยนต์ SHA-1 แบบ 512 บิตเพื่อคำนวณรหัสการรับรองความถูกต้องข้อความ 160 บิต (MACs) และเพื่อสร้างความลับ
• การเข้าถึงการเขียนต้องมีความรู้เกี่ยวกับความลับและความสามารถในการคำนวณและส่ง Mac 160 บิตเป็นการอนุญาต
• ผู้ใช้โปรแกรมการป้องกันการเขียนหน้า 0 หน้า 3 หรือทั้งสี่หน้าด้วยกัน
• โหมดการจำลอง OTP EPROM ของผู้ใช้โปรแกรมสำหรับหน้า 1 ("เขียนถึง 0")
• สื่อสารเพื่อโฮสต์ด้วยสัญญาณดิจิตอลเดียวที่ 15.3kbps หรือ 90.9kbps โดยใช้โปรโตคอลสาย 1 สาย
• switchpoint hysteresis และการกรองเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพประสิทธิภาพในการปรากฏตัวของเสียงรบกวน
• อ่านและเขียนช่วงแรงดันไฟฟ้ามากกว่า 2.8V ถึง 5.25V ตั้งแต่ -40 ° C ถึง +85 ° C
• 6-lead TSOC และ TDFN หรือ 2-lead TO-92 และ SFN แพ็คเกจ

ตามบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่องไม้และพาเลทไม้ตามความต้องการของตนเอง